0件商品
| DIGITIMES Research观察，现行氮化镓(GaN)功率元件多为矽基氮化镓(GaN on Si)结构，随中系IDM配合中国政府政策，且快速渗透小电压(30~150V) 3C产品快充(fast charger)市场，推动非中系IDM、IC设计及IC制造商转往大电压(650~700V)终端应用布局，这使全球GaN功率供应链逐渐形成两派竞局，而GaN基板将成为GaN功率元件扩展新应用的重要关键。 现行GaN功率元件多为GaN on Si异质磊晶结构，然元件运行容易产生热能，此时寻求如碳化矽(SiC)及GaN基板成为重要解决方案，随散热及能效转换条件持续精进，DIGITIMES Research预估，未来7年内GaN on SiC及GaN on GaN有望商用。 现阶段GaN功率半导体主流市场为能效要求不高的3C产品快充，且中系IDM英诺赛科配合中国政府政策而快速扩张该领域市占，因此，罗姆(Rohm)及英飞凌(Infineon)等非中系IDM转投入能效要求较高的交通、工业等应用领域。 英诺赛科以低价快速抢占GaN功率元件小电压快充应用市占，但也关注大电压用市场布局；非中系IDM、IC设计及IC制造等除目标锁定大电压应用外，美商宜普(EPC)亦对英诺赛科于结构与制程专利侵权提起诉讼，DIGITIMES Research认为，上述事件确阻碍中系供应链发展进程。再者，非中系IDM购并灵活度较高的IC设计商，以及部分IC制造商投入GaN功率元件晶圆代工，非中系业者供应链发展相对多元。 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
若想立刻加入付费"Research"会员，请洽询
客服专线：
+886-02-87125398。(周一至周五工作日9:00~18:00)
客服信箱：
member@digitimes.com (一个工作日内将回复您的来信)
