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展会观察：Semicon Japan 2023第三类半导体以上游材料技术进展为亮点
DIGITIMES研究团队
DIGITIMES Research观察Semicon Japan 2023在第三类半导体领域的展示，主要著重于氮化镓(GaN)及碳化矽(SiC)材料技术的精进，如六甲电子SiC晶圆减薄技术、大阪大....
目录
- Semicon Japan 2023聚焦第三类半导体上游材料进展
- 晶圆减薄业务已逐步扩展至第三类半导体—以六甲电子SiC为例
- CMP抛光设备搭配光学检测 有利增进晶圆减薄成效
- 六甲电子于晶圆减薄较一般业者拥有丰富的加工经验
- 不同品质、基板及磊晶成本构筑多元GaN结构
- 氢化物气相磊晶法有助加快GaN on GaN生成速率
- QST热膨胀系数与GaN近 信越欲推开GaN应用大门
- 信越与冲电气共推GaN元件转移技术 以降低生产成本
- 生长速率缓慢且成本高为单晶SiC基板升华法劣势
- 生长速率快及成本适中为多晶SiC基板CVD法特性
- Sicoxs成功键合单晶与多晶SiC 以制程优势抢进市场
- 上游材料发展有助第三类半导体制程持续精进
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