第四类半导体明日之星β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>　领航未来工业及能源应用新商机

DIGITIMES研究团队

第四类半导体材料特性较第三类半导体于高功率终端拥有优异表现，考量上游基板及磊晶生长难度，第四类半导体氧化镓β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>逐渐脱颖而出，由于β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板长晶生成方...

目录
  • 能隙、启动电阻率及崩溃电场/电压为功率元件重要指标
  • 第四类半导体适用于高功率终端　然受长晶技术限制　β-Ga2O3基板最有望出线
  • β-Ga2O3长晶较其他成熟　基板拥有透明及较大尺吋特性
  • β-Ga2O3因基板生成容易　供应链发展较其他第四类半导体快速
  • β-Ga2O3可稳定存在任何温、湿环境　美商务部禁令将部分影响中系β-Ga2O3商用規劃
  • β-Ga2O3长晶与Si常用生长方法雷同　未来待更多上游业者加入　将有助降低基板成本
  • β-Ga2O3磊晶生长所需温度较第三类半导体低　有利元件制造与供应链发展
  • 因基板较SiC取得容易　中长期β-Ga2O3供应链与SiC有机会达成本逆转
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