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功率半导体IGBT市场前景明朗 制造端8吋迁移至12吋渐成趋势
DIGITIMES研究团队
DIGITIMES Research观察，绝缘闸双极晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT)受益于新能源与碳中和发展趋势，2021~2027年市场规模将以复合年均成长率...
目录
- IGBT兼具BJT与MOSFET性能特点 是大功率电子装置中电路控制与电力转换的核心
- Si-IGBT适用范围主要涵盖中高压终端应用场景
- 2021~2027年IGBT全球市场规模CAGR将达7% 2027年模塊占比估升至85%
- 交通运输与能源应用是全球IGBT市场主要成长动能
- 全球IGBT市场高度集中 前三大业者合计市占率过半
- IGBT产业技术壁垒—设计环节 核心是稳定性与可靠性 而非极致的性能表现
- IGBT产业技术壁垒—制造环节 晶圆薄化与背面制程是从8吋推进至12吋生产的主要难点
- IGBT产业技术壁垒—封装环节 可靠度与散热是模塊性能关键 倚赖设计与材料创新
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