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6G網絡将延伸至非地面通讯 有助推升GaN通讯元件新需求
DIGITIMES研究团队
随氮化镓(GaN)通讯元件于制程及磊晶技术持续精进，将由现行散热较佳的碳化矽基氮化镓(GaN on SiC)结构，朝即将试产的GaN on GaN及磊晶品质改善后的矽基氮化镓(GaN ...
目录
- 随通讯技术持续精进 GaN通讯元件将支持多元应用網絡
- 现行Si为元件市场大宗 然高频及高功率通讯唯GaN适用
- 依基板特性与制程成本 GaN应用分为通讯及功率元件
- 现行GaN通讯元件多为GaN on SiC 未来随同质GaN及磊晶改善 应用将为百花齐放
- 因基站拥有数组传输与接收频段 推升GaN通讯元件于PA渗透率
- 6G網絡更胜5G 多元终端将助GaN通讯元件市场增长
- 低轨卫星及高空平臺基站为6G新媒介 随频段增 有望拉抬GaN通讯规模
- 因应6G網絡发展 未来GaN通讯将挹注卫星及手机应用
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