0件商品
从3C产品快充到太空、服務器及车用 GaN功率元件应用逐步扩展
DIGITIMES研究团队
氮化镓(GaN)功率元件相较于传统矽(Si)元件，由于具有较佳的输出功率及功率密度，已快速渗透至3C产品充电器中。现行GaN功率元件用晶圆主要透过GaN磊晶(epitaxy)方式，...
目录
- 能隙与晶格常数为磊晶生长关键 GaN磊晶可依晶格差异 搭配数种不同基板
- 考量基板尺吋及成本 GaN on Si成为功率元件结构首选
- 新创GaN快充设计业者兴起 尝试打造多元终端应用
- GaN功率元件不只用于3C产品快充 太空、數據中心、车用、能源及工业领域亦陆续导入
- GaN快充便利性及对环境友善 有助于3C产品快充渗透
- GaN功率元件有效推升數據中心供电效能 其元件结构与体积微缩亦有益太空应用
- 能源转换率、微型化及精准控制特性 有助加速GaN功率元件于能源转换器及工业应用
- GaN功率元件逐步用于电动车小电压供电系统 有利组装厂降低成本并提升电动车行驶距离
相关报告
关键字
加入已选取到「关键字追踪」
使用者登入
服务加入办法
若想立刻加入付费"Research"会员，请洽询
客服专线：
+886-02-87125398。(周一至周五工作日9:00~18:00)
客服信箱：
member@digitimes.com (一个工作日内将回复您的来信)
- 追溯至2000年，洞察产业脉动
- 优质报告，助攻精准决策
- 八大主题，23产业频道涵盖
- 七大全球数据库，掌握市场趋势
