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TSV 3D IC技术与市场起飞仍需克服诸多挑战
DIGITIMES研究团队
TSV 3D IC技术虽早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技术水准皆尚未成熟情况下，TSV 3D IC技术发展速度可说是相当缓慢，直至2007年东芝(Toshiba)将镜头与CMOS Image Sensor以TSV 3D IC技术加以堆叠推出体积更小的镜头模塊后，才正式揭开TSV 3D IC实用化...
目录
- TSV 3D IC技术蓝图规划
- 高度整合芯片技术发展方向
- TSV 3D IC主要技术
- TSV Via First 制作流程与优缺点
- TSV Via Last 制作流程与优缺点
- TSV Via Middle 制作流程与优缺点
- TSV 3D IC Via Middle 与 Via Last 阵营主要厂商
- 跨入TSV 3D IC所面临制作技术挑战
- 来自芯片封装交互作用的进阶挑战
- TSV 3D IC技术发展方向：缩短TSV孔距
- TSV 3D IC技术与市场要起飞 仍将面临诸多挑战
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