根据 DIGITIMES 最新研究报告指出，随着AI推动 800G 与 1.6T 高速传输时代，矽光子（Silicon Photonics, SiPh）正推动光模块封装迈向半导体化制程。DIGITIMES预估，全球光模块市场规模将自 2025 年的 126 亿美元增至 2030 年的 454 亿美元；产品结构由 400G 加速转向 800G，1.6T 自 2026 年起正式放量，3.2T 则预计于 2028 年后接棒。然而，伴随高速传输时代交替，核心关键零组件面临材料供给限制，预估 2026 年全球低差排密度（EPD）雷射级磷化铟（InP）有效产能与需求缺口将超过 7 成，供需失衡现象将直接影响高端模块出货节奏，掀起全球光通讯供应链新一轮战略资源卡位战。

DIGITIMES 分析师许凯崴认为，光模块架构主流已由分立元件转为矽光子整合。矽光子技术将调变器、光侦测器、分光、波导与耦合整合于单一矽光子集成电路（PIC），光元件由 24 个以上收敛为 1 颗 PIC 加上 2～4 颗连续波（CW）雷射，并以 CMOS 成熟制程晶圆级量产，扩产跟着晶圆代工节奏走。惟「矽不发光」的物理限制，光源仍须外挂 InP，矽光子渗透率提高反而拉动更多 InP 需求。在此架构下，技术瓶颈由元件制造难度上移至最前端材料供给，促使国际大厂纷纷改以入股或购并等策略性投资提前锁定上游产能。

在市场与竞争态势方面，光模块技术规格升级将考验上游业者的量产能力。许凯崴指出，光模块从 400G 演进至 3.2T 皆维持 8 通道设计，规格压力集中在每通道翻倍至 200G/lane 的电吸收调变雷射（EML）。由于 EML 材料结构复杂且波长对频公差极窄，量产初期良率一度落在 15% 区间，加上时代周期由 4 年压缩至 2 年，上一代良率尚未完全跨越学习曲线，下一代规格已至，导致 200G EML 裸芯价格自 5～7 美元调整至每颗 20～25 美元，全球交期已排至 2027 年。目前全球上游高端 InP 基板更逾 9 成由住友电工、AXT 与 JX 金属三家掌握。台系供应链虽在磊晶、雷射代工、先进封测及设备展现优势，惟最前端 InP 基板与可插拔 PIC 晶圆代工两处仍属断点。

展望未来，许凯崴表示  2026 年后光通讯产业的竞争本质在于「供给面量产节奏」与「架构过渡期的多轨并行」。尽管光引擎朝向 ASIC 靠拢的共同封装光学（CPO）已成共识，但在标准协议、光纤连接架构与可拆卸维护三大关键尚未齐备前，数据中心高速互连仍以可插拔光模块为出货主力。许凯崴认为，具备高度弹性以策略性投资锁定关键雷射产能、并深化跨环节生态系整合的系统业者，将能突破上游材料瓶颈，在此波技术过渡期确立关键竞争优势。