美国商务部2024年4月8日宣布，将提供台积电66亿美元投资补助及上限50亿美元的贷款，而台积电也同步发布扩大在美投资计划。对此，DIGITIMES分析师陈泽嘉表示，台积电获得美国「芯片与科学法」(CHIPS and Science Act，下称芯片法)补助，为芯片法半导体投资补贴中，仅次于英特尔(Intel)的第二大笔款项，虽补助款少于英特尔，亚利桑那州(Arizona)新厂导入先进制程时点也晚于英特尔，但台积电凭藉在先进制程大量的生产经验，仍可望保持良好的竞争优势。

三周前，美国商务部于3月18日宣布提供英特尔85亿美元补助及110亿美元的优惠贷款后，英特尔成为美国芯片与科学法案补贴的最大赢家。此前，格罗方德(GlobalFoundries)、Microchip等美国半导体业者虽也获得芯片法补贴，但与英特尔获得的规模相去甚远。陈泽嘉观察，英特尔、台积电陆续获得美国政府补助，两案补贴合计达151亿美元，占芯片法案对半导体制造补贴的390亿美元近4成，凸显美国意图强化先进半导体制造能力的决心；而台积电与英特尔当前的投资计划将有助美国建立半导体先进制程生产能力。而目前美国商务部尚未公布对三星电子(Samsung Electronics)的投资补贴，以及三星电子未来宣布相应的投资计划，皆是后续可关注的重点。

美国商务部宣布提供台积电高额补助后，也同步透露台积电承诺将在亚利桑那州投资兴建第三座晶圆厂，以及更新第二座晶圆厂投资计划，使台积电亚利桑那州总资本支出新增逾250亿美元，累计将超过650亿美元。陈泽嘉指出，台积电在考量美国半导体建厂时程、员工招募与训练、客户制程需求等因素下，台积电亚利桑那州Fab 21 P1原规划量产技术已由5纳米制程转为4纳米，量产时程则由2024年下半递延至2025年上半。而原先规划2026年量产3纳米制程的Fab 21 P2，因应美国客户需求，将增加生产更先进的2纳米制程，量产时程则预定在2028年。陈泽嘉认为，由于台积电规划2025年在新竹宝山Fab 20量产2纳米制程，因此在2028年将2纳米制程导入Fab 21 P2，该厂制程顺利升级机率相当高。

至于台积电规划亚利桑那州第三座晶圆厂Fab 21 P3将在2030年以前完工，届时将导入2纳米及以下先进制程。陈泽嘉表示，台积电2纳米制程于2025年进入量产阶段，而1.4纳米制程则可望在2027~2028年在台湾量产，因此只要在厂务建设、机台进驻、人员招募与训练顺利，Fab 21 P3亦可望在2030年以前顺利导入1.4纳米制程。

不过，根据英特尔IDM 2.0战略规划，其Intel 3制程已在2023年下半完成开发，2024年将进入量产阶段，因此成为美国率先量产3纳米制程的业者；至于Intel 18A制程，陈泽嘉预估将在2025年进入量产阶段，使英特尔成为美国本土首家生产2纳米以下制程的半导体业者。陈泽嘉观察，英特尔在5纳米以下先进制程量产时点将早于台积电Fab 21，甚至英特尔可望在2030年以前在美国量产Intel 10A制程，相似的先进制程量产时点皆可望早于台积电Fab 21，将可提早为美国建立先进制程生产能力。然考量台积电在7纳米以下先进制程生产经验叠加仍占优势，客户高度客制化产品经验丰富，在美国市场仍可望持续保有竞争力，全球市场竞争力亦可望维系。