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次世代非挥发性存储器加速导入市场 企业储存应用具发展机会

2017/01/23-IC制造-20170123-17-陈彦志  
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DIGITIMES Research研判,在快闪存储器(Flash Memory)技术发展逐渐面临瓶颈之际,次世代非挥发性存储器技术可望于2019年起加速导入市场,当中成长潜力最高者为企业储存应用。

随制程演进,NAND型快闪存储器(NAND Flash)储存容量不断提升,使固态硬盘(SSD)的使用率逐渐提高,并逐步淘汰机械硬盘。然而,也因为先进制程导致NAND Flash元件结构变得更容易损耗,不利于长期储存应用,因此,存储器厂商势必投入次世代非挥发性存储器的开发。

各种次世代非挥发性存储器技术中,以自旋转移力矩存储器(Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory;STT MRAM)、电阻式存储器(Resistive Random Access Memory;RRAM)、相变化存储器(Phase Change Random Access Memory;PCRAM)等为主轴。

然而,尽管次世代非挥发性存储器有良好的特性,但由于NAND Flash发展时点早及投入资源庞大,早已在储存容量与价格上建立优势,如何以新兴产品的实际性能表现说服客户接受较高售价新品,将是新兴存储器厂商在市场推广时的重要课题。

目前次世代非挥发性存储器在特定领域中已获得采用,包括工业、运输、智能卡、微控制器等领域。

次世代非挥发性存储器的候选技术中,STT MRAM的元件特性较佳,但同样面临储存容量不足与制造成本较高的问题。从新进厂商营运状况亦可判断出该产品有明确需求,也使产品能维持较高毛利率。展望未来,次世代非挥发性存储器厂商若欲获利,需尽速提高单位储存容量,才能获得更广的应用以达成。

非挥发性存储器储存容量变化
资料来源:ISSCC(International Solid-State Circuits Conference),DIGITIMES整理,2016/11


  内文目录
次世代非挥发性存储器已在特定领域获采用
次世代非挥发性存储器特性良好 惟储存容量单价有待改善
发挥低耗电及运算速度快特性 开发利基市场
MRAM技术各有拥护厂商 STT MRAM较受看好
STT MRAM供应链已成形
STT MRAM新进厂商仍亏损 需加强市场开拓
 图表目录
次世代非挥发性存储器市场规模预测
次世代存储器特性比较
非挥发性存储器储存容量变化
依技术类别投入MRAM厂商一览
Everspin于STT MRAM产业链关系
Everspin各季营收、毛利率与营益率变化
7 个图表



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