登入  加入会员  MY DIGITIMES  228 中文繁體版   English 星期日, 3月 26日, 2017 (台北)   
服务说明关于DIGITIMES
STDIGITIMES Research产业数据资料库
信息消费性电子通讯平面显示器半导体▼绿色节能物联网 CarTech   
IC设计|IC制造
 DIGITIMESResearchIC制造

3D NAND Flash层数增加 于薄膜蒸镀制程面临生产效能与沉积层弯曲课题

2016/10/13-IC制造-20161013-241-杜振宇  
本文限「Research IC制造」会员阅读,请登入会员,或洽询会员服务

DIGITIMES Research观察,3D NAND Flash自垂直堆叠48层朝64层迈进,除蚀刻通道厚度增加可能需改采乾蚀刻技术外,由于呈氧化物-氮化物-氧化物交替式沉积的薄膜层数增加,面临生产效能待提升、沉积层易弯曲、缺陷碰撞更严重等课题,使得更多层3D NAND Flash在薄膜蒸镀制程的难度提升。

半导体薄膜生成主要采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition;CVD)技术,其运用热、电浆、光等化学气相反应形成薄膜,而CVD又涵盖电浆辅助化学气相沈积(Plasma-Enhanced CVD;PECVD)、低压化学气相沉积(Low-Pressure CVD;LPCVD)及原子层沉积(Atomic Layer Deposition;ALD)等方式,3D NAND Flash于垂直堆叠的薄膜沉积主要采用PECVD。

3D NAND Flash自垂直堆叠48层增至64层,需追加PECVD制程的次数,理论上,薄膜蒸镀次数自48次增至64次,所需生产时间将增加约33%,在制程步骤数变多的情况下,有必要提升PECVD生产效能。

除生产效能待提升外,因垂直堆叠层数增加,在下方沉积层所承受负重增加的情况下,沉积层弯曲导致波浪状薄膜层的问题亦将较以往容易发生,且制程中若产生缺陷,将因层数增加而扩大碰撞,此将对生产良率造成负面影响。

DIGITIMES Research观察,3D NAND Flash朝64层以上垂直堆叠发展,于薄膜蒸镀制程,除对PECVD设备需求增加外,尚需设备商配合存储器业者提升制程技术,朝更快速生产、薄膜平坦一致、低缺陷等目标迈进。

3D NAND Flash自垂直堆叠48层朝64层发展在薄膜沉积方面的主要挑战
资料来源:LAMResearch、韩国NH投资证券,DIGITIMES整理,2016/10


  内文目录
薄膜沉积制程随3D NAND Flash层数增加将成课题
3D NAND Flash层数增加面临PECVD生产效能与沉积层弯曲问题
结语
 图表目录
薄膜沉积为3D NAND Flash垂直堆叠层增加的课题之一
化学与物理气相沉积主要特性比较
化学气相沉积制程设备主要构造
6 个图表



会员登入

若您已是DIGITIMES Reserach的正式会员,请由此下方登入。

帐号:
   【范例:user@company.com】
口令: 忘记口令
    连续一个月系统自动记住帐号口令

登入

★ 若您是第一次使用会员资料库,请点选申请个人帐号
服务加入办法
若想立刻加入付费会员,请洽询客服专线:
+886-2-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
服务信箱:member@digitimes.com
(一个工作日内将回覆您的来信)。

热门报告 - 半导体
IC设计IC制造
 
Slide Show─
为投影片搭配仔细解说的服务模式,提供具时效性的ICT产品产销、展场观察等研究成果,同时可直接作为会员简报材料。
Insight─
为深入研究观点与发现的实时服务,内容包括重要事件评论、重要产业信息的揭露等。
Data Point─
以1个图表搭配简洁文字说明,提供图文并茂的资料库服务。
Spec & Price─
解析全球主要市场终端产品零售均价与规格,并提供客制化查询数据库。
Spot Price─
提供每周太阳光电产业链上下游现货报价信息,藉此反应市场供需波动变化,并解析市场最新脉动。
Industry Review─
定期检视产业核心构面的重要事件与发展,以利掌握产业关键动态、议题实质内涵与加值观点。