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 Industry Review: 2Q'16韩国存储器产业观察:产值季增6.6% 3Q'16可望朝113亿美元迈进

2016/08/29-IC制造-20160829-207-范维君  
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观察2016年第2季韩国存储器产业发展,由于DRAM价格逐渐触底、NAND Flash价格攀升、智能型手机等主要终端装置出货增加,韩国存储器产值再度攻上12兆韩元,达12.25兆韩元(约107亿美元),较前季成长6.6%,但较2015年同期衰退6.0%;DRAM与NAND Flash产值分别为7.8兆及4.45兆韩元,比重分别为63.7%及36.3%,相较第1季的65.6%与34.4%,NAND Flash比重提升2个百分点。

三星(Samsung)已于2016年第1季量产18纳米制程DRAM,2016年第2季生产比重持续提升,并开始将18纳米制程导入服务器用DRAM及行动(Mobile)DRAM生产。2016年第2季,三星行动DRAM全球市占表现更上层楼,达61.5%的历史新高水平。

2016年第2季,SK海力士(SK Hynix)DRAM及NAND Flash营收占比为73.3%与26.7%,相较2016年第1季,NAND Flash占比提升5个百分点。SK海力士21纳米制程DRAM开始陆续出货,也开始导入行动DRAM生产,预计2016年底21纳米制程产品比重将大幅提升。但与三星表现相较,2016年第2季SK海力士行动DRAM全球市占率为25.1%,季减1.8个百分点。

DIGITIMES Research预测,虽有韩元兑美元持续升值的不利因素,但2016年第3季由于是终端装置需求传统旺季,DRAM及NAND Flash出货将进一步增加,加上智能型手机行动DRAM单机搭载容量不断提升、SSD渗透率持续提高及DRAM价格回稳等有利因素,韩国存储器产值有望季增7%左右,进一步挑战13兆韩元(约113亿美元)大关。

1Q’15~3Q’16三星与SK海力士NAND Flash营收变化及预测
资料来源:各公司、DIGITIMES,2016/8


  内文目录
2Q’16淡季不淡 韩国存储器产值季增6.6%
韩国DRAM产值季增3.4% 全球市占高达75%
市场需求旺盛 韩国NAND Flash产值双位数成长
3Q’16韩国存储器产值有望上攻13兆韩元
3D NAND Flash扩产热潮持续增温
 图表目录
1Q’15~2Q’16韩国存储器产值变化
1Q’15~3Q’16三星与SK海力士DRAM营收变化及预测
3Q’15~2Q’16 标准型DRAM现货价走势
1Q’15~3Q’16三星与SK海力士NAND Flash营收变化及预测
2016年3月至6月 NAND Flash合约价走势
6 个图表



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