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2014年度日本前三大半导体厂营益率可望升至近7年高点 东芝优先采15纳米制程量产快闪存储器

2014/11/27-IC制造-20141127-496-杜振宇  
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观察日本前三大半导体厂2014会计年度(2014年4月至2015年3月,以下简称年度)营收预测,东芝(Toshiba)可望与2013年度持平在近1.2兆日圆(约120亿美元)水平,瑞萨电子(Renesas Electronics)恐较2013年度衰退31.6%,为7,484亿日圆,Sony营收则将自2013年度4,700亿日圆成长至2014年度的5,700亿日圆。

DIGITIMES Research观察,尽管2014年度日本前三大半导体厂营收并非全数较2013年度成长,然此3家业者营益率皆可望上扬至2008年度以来相对高点,此固然与其主力产品NAND Flash、微控制器(Micro Controller Unit;MCU)及CMOS影像感测IC(CMOS Image Sensor;CIS)需求增加有关,然2014年初以来日圆平均汇率下滑至1美元兑100日圆以上,亦有利日厂提升获利能力。

在企业动向方面,东芝原先预定于2014年夏天完工的日本四日市工厂第5栋Phase2量产垂直堆叠架构BiCS NAND Flash,然正式量产时间将延后至2016年初,改为优先采用15纳米制程生产NAND Flash,至2015年底为止,东芝将持续提升15纳米制程占NAND Flash生产比重。

2014年度瑞萨电子已着手将其日本设计研发据点自原先11处缩减至4处,为因应人力需求减少,瑞萨电子计划2014年12月实施今年以来第3次优退制度,以持续加强控管成本,朝2016年度营益率达10%以上目标迈进。

另外,Sony原先规划其2014年度半导体事业资本支出将与2013年度持平在670亿日圆,然已上修至800亿日圆,其中500亿日圆用于扩充CIS产能,可看出手机带动CIS需求增加。

2014~2015年度东芝于NAND Flash先进制程及产线规画
注:日厂东芝系以4月至隔年3月为其会计年度
资料来源:东芝,DIGITIMES整理,2014/11


  内文目录
2014年度日本前三大半导体厂营益率皆可望达相对高点
3Q’14东芝与瑞萨获利甚佳 主因分别为切入先进制程与改善产品组合
东芝优先发展15纳米制程 瑞萨电子持续控管成本 Sony调升资本支出
结语
 图表目录
2008~2014年度日本前三大半导体厂商营收变化及预测
2008~2014年度日本前三大半导体厂商营益率变化及预测
1Q’11~3Q’14日本前两大半导体厂商营收变化
1Q’11~3Q’14日本前两大半导体厂商营益率变化
10 个图表



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