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EPC推出全新晶体管 技术性能大幅提升
2017/03/17-吴冠仪  更新时间:2017/03/17 15:21

EPC推出EPC2045及EPC2047氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),尺寸减半,而且性能显著提升。
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出全新的EPC2045(7mΩ、100V)及EPC2047(10mΩ、200 V)晶体管,在提升产品性能的同时也可以降低成本。100V的EPC2045应用于开放式服务器架构以实现48V至负载的单级电源转换、负载点(POL)转换器、USB-C及雷射雷达(LiDAR)等应用。200V的EPC2047的应用例子包括无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用及太阳能微型逆变器。

100V、7mΩ的EPC2045在性能/成本上继续扩大与等效矽基功率MOSFET的绩效差距。与前一代EPC2001C eGaN FET相比,EPC2045的芯片尺寸减半。而200V、10mΩ的EPC2047 eGaN FET的尺寸也是减半,如果与等效矽基MOSFET相比,它的尺寸减小达15倍。

现在可以同时实现更小型化和性能更高的元件,eGaN产品采用芯片级封装,比MOSFET使用塑料封装可以更有效散热,使用芯片级封装的元件可以直接把热量传递至环境,而MOSFET芯片的热量则聚集在塑料封装内。

EPC公司执行长兼共同创办人Alex Lidow表示,目前采用MOSFET技术的各种应用,这些全新eGaN产品展示出EPC及其氮化镓晶体管技术如何提升产品的性能之同时能够降价。此外,将继续发展氮化镓技术以推动全新矽基元件所不能够支持的终端用户应用出现。这些全新晶体管也印证了氮化镓与MOSFET技术在性能及成本方面的绩效差距正在逐渐扩大。

也为工程师提供3块开发板以帮助工程师容易对EPC2045及EPC2047的性能进行评估,包括内含100V的EPC2045晶体管的开发板和内含200V的EPC2047的开发板。

氮化镓制程的优势是氮化镓元件比等效矽基元件具备低很多的电容,因此可以在更高频、相同的阻抗及额定电压下,实现更低的闸极驱动损耗及更低的开关损耗。与最好的等效MOSFET相比,EPC2045工作在48V–5V电源转换、500 kHz开关频率时,功耗降低30%及效率提升2.5%。

与矽基MOSFET相反的是,eGaN FET虽然小型很多,但它的开关性能更高,代表eGaN产品的前景是该技术进入良性循环的轨度,预期氮化镓元件将会继续小型化而其性能可以更高。

全新产品在性能、尺寸及成本上的改进是由于利用了创新的方法,当击穿时在汲极区域减弱电场,并且同时大幅减少陷阱,使之所俘获的电子减少。
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宜普电源转换公司(EPC)
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