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2017年全球3D NAND Flash产能将增118% 三星维持领先

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全球NAND Flash生产主要由韩国、日本及美国三大存储器阵营厂商包括三星(Samsung)/海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)/英特尔(Intel)掌握。随著1Y纳米(nm)以下2D NAND Flash制程难度加剧,后续发展已见瓶颈,近年厂商多透过3D NAND Flash技术发展,突破传统2D NAND Flash在储存容量提升及Cell储存单元电荷干扰等限制。

在3D NAND Flash发展上,三星量产进度及总产能最为领先,2013年即宣布量产24层3D NAND;其它厂商亦于2016年开始将部分2D NAND Flash产能转产3D NAND Flash,陆续提高3D NAND Flash产能比重。

DIGITIMES Research预估,2017年全球3D NAND Flash产能可望较2016年大幅增加118%,2018年年增率亦将达64%。虽众多厂商已跟进增产3D NAND Flash,但2018年三星在该领域产能仍可望维持领先。

2014~2018年全球3D NAND Flash厂商别产能比重变化及预测
注:其它厂商尚无具体3D NAND产能扩充计画。
资料来源:DIGITIMES,2017/4

内文目录

  • NAND Flash需求持续成长 整体产能预估年增6.2%
  • 3D NAND将是NAND Flash厂商扩产重心
  • 2017~2018年东芝与三星产能优势可望维持
  • 3D NAND为未来市场重心 三星具产能面供给优势
  • 结语

图表目录

  • 2015~2018年全球NAND Flash产能变化及预测
  • 2015~2018年全球2D与3D NAND Flash产能比重变化及预测
  • 全球存储器厂商NAND Flash产线现况与扩产动向
  • 2015~2018年全球NAND Flash厂商别产能变化及预测
  • 2015~2018年全球NAND Flash厂商别产能比重变化及预测
  • 7 个图表

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