2纳米后柳暗花明 科技部大型研发计划5月起跑
- 庄衍松／台北
电子元件在纳米尺度下所产生的技术障壁包括元件过热、穿隧漏电效应、能量耗损、焦耳热等问题，台积电3纳米量产后，未来2纳米、1纳米之后势必会面临新的技术挑战，亟需...责任编辑：陈至娴
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