耗电省二成体积剩一成 GaN半导体EV
- 范仁志／综合报导
由于矽质功率半导体发展碰到瓶颈，2010年代功率半导体厂纷转向新材料领域发展，其中由日本人研发、在2014年获得诺贝尔物理奖的GaN材料，被日本政府视为可望迎头赶上的领域，故于2017年以日本政府环境省的计划为契机开始发展，并2019年东京车展(Tokyo M...
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