MRAM制程与测试技术渐趋成熟
- 涂翠珊/综合报导
磁阻式随机存取存储器(MRAM)结构简单,相当容易被嵌入CMOS逻辑电路的后端处理(BEOL)金属化层。然而在研发人员观察到自旋移转转矩(Spin-Transfer Torque;STT)现象前,MRAM的发展几乎停滞不前。就在近几年,STT-MRA...
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