ReRAM积极扩张版图 锁定AI应用伺机取代DRAM
- 梁燕蕙／综合报导
可变电阻式随机存取存储器(ReRAM)业已研发多年，一度曾经被视为是NAND Flash之替代方案。然而，有监于NAND在三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)等业者努力下，远比先前所预期的更进一步向下微缩、提高堆叠层数，也...
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