泛铨科技发布低损伤EUV光阻材料分析技术
- 郑斐文／台北
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由a到c为EUV PR截面TEM影像。随着不同蚀刻条件，EUV PR的状况都能清楚且几近无损伤的呈现出来。
泛铨科技专注于半导体先进制程的材料分析、故障分析领域，近期发布发展出损伤EUV PR材料分析技术。目前半导体制程已进到7纳米之后，然而极紫外光(EUV)光刻微影技术是5纳米、3纳米制程继续前进的关键技术，极紫外光光阻(EUV PR) 是一种非常脆弱且对温度相当敏感，在先进制程中不可或缺的重要材料之一；一般光阻材料分析(TEM & SEM)过程都会造成结构变形与损伤。
为避免分析时造成光阻材料结构变形与损伤，泛铨科技开发出低损伤EUV PR材料分析技术，以提供最精准的数据，让合作夥伴在先进制程研发中持续领先。
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