日大学突破STT-MRAM技术局限 创下14奈秒写入速度
- 谢明珊／综合报导
日本东北大学成功研发出储存密度高达128Mb的自旋转移力矩式存储器(STT-MRAM)，写入速度竟达14奈秒(ns)，堪称全球100Mb以上STT-MRAM之中写入速度最快，可望应用于嵌入式存储器应用，例如物联网(IoT)和人工智能(AI)的缓存。
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