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日大学突破STT-MRAM技术局限 创下14奈秒写入速度

  • 谢明珊

日本东北大学成功研发出储存密度高达128Mb的自旋转移力矩式存储器(STT-MRAM),写入速度竟达14奈秒(ns),堪称全球100Mb以上STT-MRAM之中写入速度最快,可望应...

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