韩国T.friends成功开发SiC雷射垂直穿射技术 可望取代MCT技术提升功率半导体效能
- 严思涵／综合报导
韩国中小企业研发出以雷射垂直穿透碳化矽(SiC)的技术。碳化矽的导电性优越，主要应用在电力芯片上。
据韩媒ET News报导，韩国中小雷...
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