从芯片等级看工业级存储器模块差异与优势

DRAM IC等级与外观差异

随着全球迈入5G时代，也意味了智能物联(AIoT)、自驾车与车联网(IoV)应用愿景将加速实现。为因应未来数据储存、传输与运算需求不断提升，数据中心、服务器乃至边缘运算装置等工业级应用，屡被寄望将取代传统移动设备，成为存储器产业最关键的成长动能。

实时数据的角色越来越重要，存储器被赋予的责任也日渐重大，其于耐用度与可靠度的要求更随之升高。于工业应用环境下误用商规标准产品，可能导致存储器高故障率与失效率，增加重要数据遗失与损毁的风险，甚至造成系统无预期停摆。至于工规与商规标准存储器到底有哪些关键差异，会导致如此重大的影响，「DRAM IC芯片等级」绝对是首先需要了解的议题。

从外观识别DRAM IC芯片等级

一般而言DRAM IC可分为四种等级，品质由高到低依序为：Major原厂颗粒、eTT、uTT、次级品(Downgrade)。

1. Major原厂颗粒：由存储器厂商生产制造，选用品质最佳晶圆(wafer)，并通过原厂完整测试程序，IC会打印制造商商标如：三星(Samsung)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等，使用者可清楚识别该IC的规格与制造商，并享有保固服务。

2. eTT(Effectively tested DRAM)：仅经过一定有效性测试，但未完整测试的DRAM颗粒，品质低于原厂Major等级DRAM，主要由下游存储器模块厂商向原厂购入后，再盖印自家商标logo对外销售。

3. uTT(Untested DRAM)：指封装后未经任何测试的DRAM颗粒，品质通常较有疑虑，同样由下游存储器模块厂商购入后盖印自家商标logo对外销售。

4. 次级品(Downgrade)：采用良率不佳的晶圆(wafer)与颗粒(die)制成，也参杂无法达到Major与eTT测试标准筛选下来的颗粒。此等级IC常出现严重兼容性与高不良率情形，无法达到一般品质要求。

DRAM IC：存储器可靠度的决定性要素

目前市面上的商规标准存储器，多采用eTT、uTT甚至次级品(Downgrade) IC，常用于价格导向的消费性产品或低端应用。也由于这三种等级的IC都是透过后续加工后，才盖印下游存储器模块厂商商标，一般使用者难以从外观识别其所使用的是eTT、uTT、次级品(Downgrade)中的哪一种，也增加了误用企图鱼目混珠之劣质产品的风险。

至于高端工控市场、服务器与数据中心等应用，因难以承担存储器品质不稳定可能产生的系统停摆风险，多采用以Major等级原厂DRAM IC制成的工业级存储器模块；IC上盖印有原厂商标，即便成本较高，却也能获得最高的产品的品质与可靠度。另一方面，即便产品有异常，也可受到原厂维修、退换货等保固条款保障，或送回原厂进行失效分析，找出问题发生的实际原因，以避免同样问题重复发生。

加值技术、严苛测试、Fixed B.O.M.，工业级存储器应用缺一不可

工规存储器应用情境多元，或常被用于复杂且恶劣的环境之中，不仅需能承受极端气温变化，还要面对湿度、粉尘、环境污染、震动和冲击等外在环境挑战。因此，工业级存储器模块(DRAM modules)的加值技术应用，也成为其与通用商规存储器产品最大的差异之一，如透过工规宽温(-40 ~ +85°C)、30μ 镀金、敷形涂料(Conformal Coating)、抗硫化与底部填充(Underfill)技术，进而有效提升产品可靠度与耐用度。

另一方面，除DRAM IC需经原厂完整测试程序外，工业级存储器模块还需通过一系列严苛测试或认证，以确保产品效能与稳定度，常见的测试如：高低温测试(high/low temperature test)、温度循环测试 (temp. cycling test)、开关机循环测试(power cycling test)、震动与冲击测试 (shock/vibration tests)和持续可靠度测试(ongoing reliability test)等，都可作为存储器模块是否符合工规等级的判断标准。

最后，消费级存储器模块依不同的生产批次，于制造时采用的IC并不固定，常造成严重的兼容性与品质稳定性问题。工控产品验证与导入时间长，工业级存储器模块可提供长期稳定供货与固定元件保证(Fixed B.O.M.)，有效减少重复验证的时间与人力成本投入。

不同于消费性产品常以性价比为首要考量，工规产品从选料、生产、测试到品管，对于品质、可靠度与稳定度都有极高的要求。有监于使用者对工规、商规产品差异不甚了解，Apacer宇瞻科技于2019年起启用工业级产品识别「Apacer for Industrial」，从产品标签着手，协助客户依实际应用情境选择最适合的SSD与存储器产品，清楚识别高品质、高可靠度、高耐用度的正工业级产品。