WDC推出96层3D NAND UFS 2.1嵌入式快闪存储器

Western Digital公司推出96层3D NAND UFS 2.1嵌入式快闪存储器(embedded flash drive；EFD)Western Digital iNAND MC EU321。Western Digital iNAND MC EU321专为高端移动和运算装置所设计，包括人工智能(AI)、增实境(AR)、多镜头高分辨率摄影、4K影片拍摄等。

采用Western Digital的96层3D NAND技术、先进的UFS 2.1界面技术和Western Digital的iNAND SmartSLC 5.1架构，新推出的Western Digital iNAND MC EU321嵌入式快闪存储器，为智能手机、平板电脑和个人笔记本电脑装置带来优越的数据效能，即使装置容量空间接近全满，还能有顺畅的移动体验。

Western Digital产品行销资深总监Oded Sagee表示，移动设备已成为日常联网生活的中心。随着5G联网速度、4K高画质影片、增实境和虚拟实境等应用兴起，也促使着智能手机、平板电脑和笔记本电脑所需具备的功能持续转型；使用者对于产品的期待，以及支持这些丰富使用者体验的技术需求也越来越高。

Oded Sagee进一步指出，Western Digital的3D NAND技术提供使用者更大的嵌入储存容量，以支持整个智能手机生命周期中的数据需求。此外，相较于采用传统储存架构的装置在储存容量近满时效能会降低，专为维持高效能而打造的Western Digital iNAND MC EU321嵌入式快闪存储器，能持续创造、保存并享受一致的数码体验。

研究机构Counterpoint Research表示，2017到2021年间NAND flash平均储存容量年复合成长率(CAGR)将高达28%，主要是由于成熟平板电脑使用者压抑已久的换机需求所带动，特别是随着娱乐及生产力成为主流使用情境，开始将装置升级为屏幕更大、容量更高的功能强大联网机种。

所有这些数据密集的应用都需要更大容量和更快速度，以满足消费者对移动设备随时随地都能实时运作(on-the-go)的期望。2018年上半出货智能手机的嵌入式储存容量，相较2017年上半增加了40%，平均每支智能手机都有51 GB的储存容量，从而带动市场对更高容量和更智能储存技术的需求提升。