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高速储存装置在Ultrabook的应用及挑战

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智微科技 资深产品营销经理 彭哲瑄
智微科技 资深产品营销经理 彭哲瑄

英特尔正与笔记本电脑大厂全力推动Ultrabook成为新一代超轻薄笔记本电脑的产业规范,驱动整个产业迈向更超薄、轻盈的境界。除了轻盈纤薄的机身以外,Ultrabook效能诉求的关键在于为磁碟快取或操作系统碟的固态硬盘(Solid State Disk;SSD)模块;另外市调机构也预测,受惠于云端运算的需求下,这五年内个人及企业用储存装置将持续高成长,智微科技持续追求高效能与低功耗,提供SSD以及供外接储存装置使用的关键控制芯片…

SSD是英特尔Ultrabook的效能关键

智微科技 产品营销协理 张中平

智微科技 产品营销协理 张中平

智微科技(JMicron)产品行销协理张中平,提到英特尔引领IT界变革。从90年代Intel inside直接将处理器形象直接面终端消费者,多媒体功能如CD-ROM的导入,以及2003年推出笔记本电脑加上WiFi无线的Centrino平台概念;为了持续增加笔记本电脑的成长动能,以因应苹果MacBook Air(MBA)热销以及平板电脑的冲击,英特尔又提出了Ultrabook,它的上下盖机身高度需小于18mm,具备五小时以上长效供电,预估到今年已经有140款机种出现,其中40款有触控屏幕,有12款具备屏幕可选转折叠机身的平板型设计。

坊间Ultrabook的配置,一种直接配置64?128GB SSD,有需要的则外接USB 3.0的移动硬盘以增容量;另一种以一般2.5寸传统硬盘,配小容量(32GB以下) SSD做为快取碟。跟Ultrabook有关的有Intel快速启动技术(Intel Rapid Start Technology;IRST)、智能反应技术(Intel Smart Response Technology;ISRT)。2012 Ultrabook规范由S4休眠模式回复时间要小于7秒,同时PCMark Vantage硬盘评分要16,000以上,Video Editing要80MB/s以上。

笔记本电脑有S3睡眠模式,保存DRAM数据并关掉周边电源进入低耗电模式,仅需两秒钟即可回复到工作模式,但耗电量约300~700mW;S4休眠(Hibernate)模式则把DRAM数据写入硬盘后关闭电源,回复速度从30秒到一分多钟不等。IRST模式则利用S3模式一段时间后,自动将DRAM数据存到NAND Flash后断电,此时耗电量仅50mW,回复时直接从SSD取回DRAM数据,使得开机回复时间在5秒以内。ISRT则藉由小容量SSD充当读写快取,或直接以SSD当操作系统碟来提昇整体传输效能。

智微提供Ultrabook加速方案

张中平介绍智微JMF667是全球第一颗4通道(4 Channel)、台积电55纳米制程的SATA 6Gbps SSD控制芯片,支持Intel/Micron 25/20nm及Toshiba 24/19nm 的NAND Flash,容量从16GB到256GB,支持DEVSLP(Device Sleep)信号协定,在S3模式下可使整体功耗小于5mW,预计2012年9月正式量产;至于JMS569是全球第一颗超低功耗的USB 3.0转SATA6Gbps桥接控制芯片,预计2012年Q4可以开始量产。

以宏碁Aspire M3 Ultrabook内建5,400rpm 500GB硬盘做Crystal DiskMark v3测试,其循序读、写速度为57.13、51.35MB/s,4K QD32随机读写速度更低到0.766、0.781MB/s;当M3搭配由JMF 667+Toshiba 19nm NAND Flash设计的24GB SSD,启动ISRT模式后,循序读、写速度增加为324.9、84.34MB/s;4K QD32随机读、写速度提昇100倍达到186.5MB/s、80.15MB/s。因为Windows环境下有很大比例这种4KB小档案的随机读写,因此SSD在4K QD32的效能提昇,进入Windows环境下的加速感受更其明显。

以PCMark Vantage软件评测,启动ISRT之后HDD评分为22,180,Video Editing为82.8MB/s;若改用JMF667+Intel/Micron 25nm NAND Flash的24GB SSD,启动ISRT后硬盘评分为25,015,Video Editing达104.2MB/s,超越英特尔2012 Ultrabook规范中,PCMark Vantage评分16,000,Video Editing 80MB/s需求。

若以Toshiba 19nm NAND Flash+JMF667芯片设计的64/128/256GB SSD做为OS Drive,在Crystal Diskmark v3.0测试下,64GB SSD循序读、写速度达503.8、177.2MB/s,4K QD32随机读、写速度为327.9、160.6MB/s,折算4K随机读、写IOPS为80K、40K;128GB SSD循序读、写速度为490、275MB/s,4K QD32随机读、写速度为350.3、276.7MB/s,折算4K随机读、写IOPS为87.5K、69K;256GB循序读取、写入速度487.3、467.1MB/s,4K QD32随机读、写速度为352.7MB/s、342.2MB/s,折算4K随机读、写IOPS为87.5K、85K。JMF667仅四通道设计,实测效能已媲美这些竞争对手八通道才能达到的效能水平。

实测效能媲美对手八通道的效能表现

JMF667芯片在持续性IOPS表现上,以IOMeter 2010软件选择4KB随机读写、full span模式下跑120分钟,并列入建兴M2P(采Marvell控制器)、美光M4(采Marvell控制器)与OCZ(采SandForce控制器)的其他三家SATA6Gbps SSD一同测试。JMF667从最5分钟尖峰值14,000,接着因进行Garbage collection而降到5,000,随后回升到6,000并一直维持在6,000上下;至于其他家SSD从前5分钟尖峰值12,000?13,500,接下来第5~10同样因进行Garbage collection而下降,到第10?15后回升并维持在2,200?4,000的区间,JMF667持续性IOPS表现是其他竞争对手两倍。

另外以都是八通道设计的建兴M3P 256GB SSD、Intel 520 240GB SSD(采SandForce控制芯片)、OCZ Vertex4 256GB(采Indilinx控制芯片),采Toshiba 19nm Type C NAND Flash(4Ch8CE)+JMF667设计的256GB SSD,以CrystalDiskMark v3.0测试,循序读取速度建兴M3P为524MB/s、JMF667 为505MB/s、Intel 520为504MB/s、OCZ Vertex4为412MB/s;循序写入部份OCZ Vertex4跟JMF667同样为467MB/s,建兴M3P 256GB为436MB/s、Intel 520 240GB则为313MB/s。

在4KB QD32 读╱写部份,OCZ Vertex4测出357、347MB/s排名第一,JMF667测出352、342MB/s,LITEON M3P为301、280MB/s,Intel 520 240GB为238MB/s、260MB/s排名最后。

张中平最后总结JMF667满足Ultrabook效能需求,支持16〜256GB容量设计,装置待机模式(Slumber)功耗仅50mW并支持DEVSLP模式,其4K随机读写IOPS高达85K、85K。

个人与企业外接储存装置的需求高速成长

智微科技资深产品行销经理彭哲瑄提到,依IDC 2012年三月市调揭露,从2011〜2016年全球硬盘市场年复合成长率仅9.6%,但个人与入门储存装置的HDD出货量,平均年复合成长率达28.1%,从2011的7,700.55万到2016年的2亿6,555.5万颗。从2007〜2011年全球硬盘出货量分别为4,400万、5,300万、5,800万、7,200万与7,700万颗,而2007?2011年JMicron芯片出货量分别为1,300万颗、1,900万颗、2,500万颗、3,700万颗、3,300万颗,市占率为29、36、44、51、43%,在2010年智微磁碟控制芯片市占率高达51%;仅2011年因为泰国淹水、硬盘短缺导致市占率略有下滑。

智微USB 3.0外接储存装置芯片家族

彭哲瑄列举出智微磁碟储存片时程蓝图。从2009年智微就推出支持双SATAⅡ埠、RAID 0/1/JBOD的JMB390芯片,USB 3.0转双SATAⅡ埠、RAID 0/1/JBOD的JMS551桥接芯片,USB 2.0+双SATAⅡ埠、RAID 0/1/JBOD的JMB352桥接芯片,及低价的USB 2.0转双SATAⅡ埠的JM20329芯片。在2010、2011年仅推出支持USB 3.0转SATAⅡ的JM539桥接芯片。2012年推USB 3.0/SATA6Gbps复合界面的JMS569桥接芯片家族,另外有USB 3.0/SATA6Gbps复合界面、双SATA6G埠输出的JMS562,以及USB 3.0/SATA6Gbps复合界面,可接SATA6G、PATA/IDE界面的JMS537芯片。

JMS569家族共有5种芯片,除了JMS569之外,还有USB 3.0/SATA6Gbps界面输入,双SATA3Gbps输出的JMS568、JMS566芯片。JMS569/568为2.5V,JMS567/566为3.3V,且四款均为外搭EPROM储存韧体的设计;预定2013年上半推出JMS529芯片则为3.3V且内建韧体储存功能的设计。

JMS562芯片家族中,JMS560为单一SATA6Gbps转双埠控制芯片,JMS560R则追加RAID0/1/JBOD功能;JMS561为USB 3.0转双SATA6G埠桥接芯片,而JMS562具备USB 3.0与SATA6Gbps复合界面桥接功能,可搭接USB 3.0或SATA6Gbps汇流排,并以韧体弹性指定成主控端或装置端。

优异实测效能 兼顾超低功耗

JMS569芯片在实测效能上,以Intel Sandybridge(PantherPoint C1版)测试平台搭配Windows 8评估板Build 8400,并开启UASP模式,受测SSD模块均使用JMF667控制芯片所设计。以ATTO Bench区块256KB的循序读、写速度为435、431MB/s,区块512KB则为450、443MB/s,区块1024KB循序读、写为448、448MB/s。以IO Meter开四个工作装置进行测试,每个装置读写速度约450MB/s。以Crystal DiskMark v3.0.1测试,循序读、写分别达405.6、338.4MB/s,而区块长度512KB的读写速度也达到366.5、336.9MB/s,值得注意的是4K QD32项目的读、写速度也高达116.3、124.1MB/s。

至于在功耗上,JMS569在Suspend Mode下功耗低于10mW,在USB 3.0全速操作模式下功耗低于330mW。USB 3.0 Single Bay规范上要求工作功耗 900mA、Suspend功耗 2.5mA;而EUP要求整个电脑系统在Suspend功耗在2012年要低于1W,到2013年要低于0.5W的要求,而JMS569已符合2013年EUP的需求。

彭哲瑄最后总结JMS569芯片家族,是在对市场趋势下所开发对的产品,因应Ultrabook、平板电脑、智能手机下,外接储存装置享有2011?2016年CAGR 28%的市场成长。而JMS569芯片家族支持超低功耗、高传输效能,迎合2012与2013年节能要求,且智微拥有自主研发能力。而智微JMS562芯片家族对未来市场成长铺设康庄大道,提供双SATA 6Gbps桥接功能,兼顾安全性与效能上的需求。