掌握SSD/UFD/eMMC前瞻储存蓬勃商机
- DIGITIMES企划
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2012年智能手机、平板电脑与ultrabook，成为市场需求量最大且成长最快速的三剑客。它们除了具备低功耗、多核心高效能的处理器、人性化应用的操作系统之外，提供高效能、稳定且低功耗的eMMC、SSD等固态储存产品也是重要关键。过去硬盘机的关键存技术在少数硬盘把持，随着固态储存技术的崛起，以快闪存储器为根基的eMMC、UFD与SSD储存装置，有助于业界设计体积轻巧、型态多变的移动数码装置；同时其储存容量越来越大，单位容量成本也越来越低，吸引众多厂商投入相关储存产品的研发。
为协助业界善用最新快闪存储器储存技术，加速可携式产品、移动应用产品，乃至于特殊工规、军规等产品的开发，DIGITIMES在8月9日举办「DTF 2012 Taiwan 前瞻储存技术与应用论坛」中，邀集华腾国际(ATP)、祥硕(ASMedia)、银灿(Innostor)、智微(JMicron)等业者，介绍固态储存控制解决方案；华腾、祥硕与银灿也在会场外设置展示摊位，展示自家产品并与会场进行技术交流。
华腾国际—挑战10纳米制程天险 以可靠度与TCO总持有成本规划胜出
华腾国际产品经理部总监曾德彰指出，当NAND即将面临跨入10nm制程技术下的天险。当前NAND Flash即将面临到严苛的ECC实时修正位元的暴增、使用寿命的减短，读取扰动等会影响到品质、耐受度的严苛考验。华腾国际(ATP)与快闪存储器大厂、控制器芯片业者有长期而紧密的合作，掌握当前固态储存技术趋势，并提供稳定且成本能有效下降的产品。
他认为考量MLC/TLC在ECC错误修正位元数的爆增，P/E Cycles耐受度逐渐下降的长期趋势下，不能仅局限于SLC/MLC存储器规格的迷思，而是以可靠度与总持有成本(Total Cost of Ownership,TCO)的观念，依照自身需求来量身打造最适当的快闪存储器应用产品。针对经常面对电源中断的严苛企业储存应用下，华腾提出ATP Power Protector防护机制，使快闪记忆卡、U盘与SSD等产品，能避免因操作过程突然断电所造成的数据遗失，提昇产品稳定性并延长使用寿命。
祥硕—掌握自主实体层技术 深化SATA6G、USB3.0、Thunderbolt的各式应用
祥硕科技资深协理庄景涪认为祥硕具备提供自行设计且量产验证过的实体层电路技术，积极投资于各类型高速量测仪器，并且提供低功耗、支持USB 3.0、SATA Partial/Slumber节能模式与PCIe连线动态电源管理，支持BC v1.2/Apple电池充电模式与可选择的时脉产生器来源的产品，以最低BOM表成本，提供客户技术创新、效能卓越、价格合宜、品质为先与值得信赖为高速产品应用。
祥硕提供从HDMI/DVI、PCIe高速切换器、信号再生器(ReDriver)，应用于SATAⅢ、USB3.0与Thunderbolt等高速汇流排界面的桥接芯片，USB 3.0 UFDU盘控制芯片，以及支持SATAⅢ、RAID0/1/JBOD磁碟储存控制芯片等。已有11家采用祥硕芯片的厂商产品通过USB-IF认证，并通过各种英特尔╱超微南桥原生USB 3.0与各大厂USB 3.0主控芯片的兼容性测试。
银灿—提供低成本、高性价比的USB 3.0 UFD、eMMC储存技术方案
银灿科技副总经理詹政峰指出，随着NAND Flash单位成本不断下降，以及UFD容量与规格需求的挪移，银灿提供以相近于USB 2.0 UFD/COB UFD成本结构与外观，可搭配TLC且设计出各种高容量、不同效能区间的高性价比的USB 3.0 UFD/COB UFD解决方案，同时搭配银灿开发的效能强化软件，可以达到Windows 8对于移动Windows(Windows To Go,WTG)的效能规范，提供平板装置较佳的操作体验。
银灿科技副总经理魏智泛则认为，从2006年eMMC由MMCA与JEDEC所提出，到2012年eMMC
v4.51的推出，其采用多芯片封装(MCP)将Flash存储器和控制芯片包成一颗BGA封装，可应用像是手机、平板等嵌入式系统，缩短产品的上市周期和研发成本。银灿已经送样采130nm、采19nm制程单矽晶的IS510 eMMC芯片，后续将会推出多矽晶IS511 eMMC芯片，随后将会有支持1xnm MLC/TLC与BCH/LDPC解码的IS521 eMMC芯片产品的推出。
智微─掌握个人╱企业储存装置与Ultrabook启动契机
智微科技产品行销协理张中平介绍智微针对Ultrabook平台所开发的全球第一颗低功耗、低成本4通道设计的SATA 6Gbps的JMF667 SSD控制芯片，支持英特尔/美光20~25纳米以及东芝19纳米快闪存储器颗粒。在循序读写效能上媲美竞争对手八通道的效能水平，在4KB小区块读写可提昇4？100倍不等的效能，符合英特尔对于Ultrabook启动IRST智能反应技术的性能规范，无论是mSATA快取模块或SATA操作系统碟，均能可以提供超越同侪效能的优良Ultrabook解决方案。
智微科技资深产品行销经理彭哲瑄指出，个人与企业外接储存装置，将从2011的7,700.55万，以年复合成长率达28.1%成长到2016年的2亿6555.5万颗。智微于2012年推USB 3.0/SATA6Gbps复合界面的JMS569桥接芯片、双SATA6G埠的JMS562芯片家族，提供2.5/3.3V、韧体外接╱内建与输出入界面的各式弹性化配置版本，提供循序读、写449.8、447.6MB/s，以及4K QD32项目116.3、124.1MB/s的卓越效能。而JMS569在Suspend /全速模式下功耗仅10mW、330mW，符合USB 3.0 Single Bay的功耗规范，并迎合EUP 2013年系统待机低于0.5W的前瞻要求。
台科大谢仁伟—从连通架构、CAFTL演算法与混合架构深究SSD的发展
台科大信息工程系助理教授谢仁伟指出，当前多通道固态硬盘(Solid State Drive；SSD)的发展上，可以从前端使用Interleaving将I/O需求分门别类，进行stripping需求分拆，并以管线化方式排入各通道，整个SSD的平行化效能就得以提昇。他点出目前SATAⅡ有限带宽造成整体效能瓶颈。学界与业界也提出了双埠DRAM、双埠SSD架构，就近直接连通北桥芯片的大胆创新理念，有助于CPU 对SSD读写的双向平行化作业顺畅并提昇效能。
对延展SSD使用寿命上，应用Content Access Flash Transaction Layer(CAFTL)演算架构，每一次数据写入时，以两阶段间接索引对映方式，把写入数据做160bit SHA-1做指纹编码索引，并纪录储存位置与被引用参考次数，系统可随时动态判断是否写入多余的数据并加以剃除，进而减少不要的数据写入量。
另外搭配少量SLC与大量MLC的混合架构SSD，配合良好演算法可提供近趋SLC高耐受度与MLC储存成本的SSD产品，但针对SLC与MLC不同耐受度与数据抹写更新特性下，对系统韧体相关演算法与判断机制的开发是极大的挑战。而SSD磁碟阵列可搭配由PRAM、MRAM或电池供电的DRAM所设计的Partial Parity Cache(PPC)机制，就近取得新旧数据直接运算出新的同步位元，减少经常性的数据读取、运算与写入动作，进而提昇整体SSD RAID的效能。
