东芝推静电放电保护MOSFET IC
- 吴冠仪／台北
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东芝电子元件及储存装置株式会社推出搭载高效率静电放电保护的双MOSFET IC–SSM6N813R，适用于需耐高压及小尺寸的车用产品或装置，包括LED头灯驱动IC，已开始量产出货。
新IC–SSM6N13R拥有100V的最大漏源极电压(VDSS)可确保并适用需要多个LED的车用头灯产品，高静电放电抗扰为此提供支持。此新产品采用最新制程，且为TSOP6F封装(比SOP8封装小70%)，其具备1.5W的允许功耗及低导通电阻。
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