意法半导体推出5x6mm双面散热微型封装车用功率MOSFET

意法半导体推出5x6mm双面散热微型封装车用功率MOSFET。

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics；ST；纽约证券交易所代码：STM)推出采用先进PowerFLATTM 5x6双面散热(Dual-Side Cooling；DSC)封装的MOSFET晶体管，新品可提升汽车系统电控单元(Electronic Control Unit；ECU)的功率密度，已被汽车零配件大厂电装株式会社(Denso)所选用，该公司提供全球所有主要车厂先进的汽车技术。

STLD125N4F6AG是40V功率晶体管，可用于汽车马达控制、电池极性接反保护和高性能功率开关。厚度0.8mm的PowerFLAT 5x6 DSC封装保留了标准封装的尺寸和高散热效率的底部设计，同时将顶部的源极显露于在外部，以进一步提升散热效率，这样设计让内部芯片有更高的额定输出电流，并提升功率密度，让设计人员能够研发更小的电控元件，而无需在功能、性能和可靠性之间做出取舍。

新款STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG最大吸极电流(drain current)为120A，而最大导通电阻则分别是1.5mΩ和3.0mΩ，其确保高效、简化系统热管理。此外，总栅电荷分别为172nC和91nC，元件本身电容极低，这有助于在高速开关时提升效能。

这两款40V MOSFET元件是意法半导体一个新产品家族的首批产品，其采用意法半导体的STripFET F6技术和沟槽式闸极结构，额定电流和电压范围宽广，适用于汽车产品。

新的MOSFET可用在极其恶劣的工作环境，包括最高175°C的发动机舱。这些产品100%经过雪崩额定值测试，其封装的可润湿侧翼引线可实现最佳焊接效果，并完全支持自动光学检查。STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG通过AEC-Q101认证，即日上市。此外，该产品家族2017年还将推出STripFET F7产品。