业界首见可湿式蚀刻LED智能基板 LED磊晶厂获利飙升新曙光(上)

以湿式蚀刻的方式，最小线宽可以低于10μm，因此大大的增加了每片磊芯片可生产出的晶粒数量。

晶呈科技股份有限公司开发出可湿式蚀刻LED CMW铜磁基板，委由交通大学电子系系主任洪瑞华教授做产品制程认证与开发并申请国科会科技部专案计划，目前取得micro LED系统商的极大兴趣，并开始设计相关产品与应用，预计在12月就会有搭载晶呈科技铜磁芯片的面板问世。

目前在LED市场上，在芯片切割时，最常使用的是雷射隐形切割、钻石刀轮切割以及一般雷射切割，以上述三种切割方式来说，都需要50μm-100μm切割道线宽，有些较老旧设备，甚至要把切割道开到150μm，然而切割道越宽，代表着单位可产出的晶粒数量就会变少，因此，如何将切割道变小，一直是LED磊晶厂的重要课题之一。若可以将切割道缩至20μm-30μm可大幅度的增加Gross chip的产出。

以台湾磊晶厂为例，钻石刀轮切割机在台湾有数百台之谱，目前宽度最窄的钻石刀轮可以到50μm，但加上对位精度等影响，切割道必须到100μm的宽度，在目前晶粒微小化的趋势之下，钻石刀轮切割势必增加并影响制造商的成本，而晶呈科技所开发出的金属基板， 为切割道细线化打开了一盏明灯。

晶呈科技开发出的CMW铜磁基版，以切割道细线化为目标的引导之下，经数年的努力之后，开发出了可用湿式蚀刻的方式，做wafer dicing，最小线宽可以低于10μm，因此大大的增加了每片磊芯片可生产出的晶粒数量。再者，目前不管用各种的切割的方式，都是以单片式去处理，而湿式蚀刻可以处理50-100pc，这样大幅减少了磊晶厂的设备投资与人力配置，亦可以为LED厂杀出一条血路。

举例来说，原本一片4寸的LED磊芯片可产出的晶粒数量为1万颗/pc，若是改成湿式切割，可以增加到2万颗/pc，以LED以晶粒卖钱的年代，用湿式蚀刻，可增加磊晶厂两倍的营收。

晶呈科技所生产制造的CMW铜磁基板提供厚度0.1mm、0.05mm、 0.03mm，目前已经通过客户认证可，每个波段(包含UVC)皆可以生产，铜磁基板不需要研磨，不需要做雷射切割，可以大幅降低成本与提升良率。

最后，除了可湿式蚀刻的特性外，在一般LED的结构上，散热亦是LED磊晶厂重要的课题，晶呈科技所生产制造的铜磁基板，散热200W/mk，超高的导热系数亦是目前市场上数一数二的基板之一，在高散热的同时，跟LED磊晶层相匹配的热膨胀系数，大幅提升的金属基板的生产良率。

以目前全球有超过4000台的MOVCD的产能来看，基板的产值有机会超过33亿美元/年，晶呈科技将于10月17日台北光电周，于南港展览馆403会议室上午10点与下午2点有产品说明会，主题为：导磁性智能基板在Micro LED应用新契机与micro LED巨量检测方案。详情请至官网查询。

总结以上CMW基板的优势，目前最火热的micro LED是否有应用的地方呢?下一篇导磁基板应用在micro LED的新契机中，将会有更完整的说明。