Microchip宣布推出全新碳化矽产品

Microchip宣布推出全新碳化矽(SiC)产品，开启了可靠的高压电力设备。

随着市场对SiC技术的效率和功率密度的要求不断上升，新推出的700V MOSFET和700V、1200V 萧特基二极管(SBDs)可为客户提供更多选择汽车、工业、太空和国防领域越来越需要能提升系统效率、稳健性和高功率密度的SiC功率产品。Microchip Technology Inc. 透过其子公司Microsemi(美高森美)宣布推出一系列SiC功率元件。

该系列元件具有良好的耐用性，以及宽能隙(wide-bandgap)半导体技术优势。它们将与Microchip各类微控制器和类比解决方案形成产品的互补优势，加入Microchip不断壮大的SiC产品组合，满足了电动汽车和其他大功率应用领域迅速发展的市场需求。

Microchip的700V SiC MOSFET和700V、1200V SiC萧特基二极管(SBD)将加入公司现有的SiC功率模块产品系列。该系列新增的超过35款分离元件产品均已实现量产，并通过了严格的耐用性测试，Microchip可提供全面的开发服务、工具和参考设计支持。Microchip目前提供额定电压、额定电流和各类封装的SiC晶粒、分离元件和功率模块。

Microchip分离元件和功率产品管理事业部资深副总裁Rich Simoncic表示：「SiC技术的演变和应用已开始加速发展，Microchip深耕这一市场多年，一直致力于满足全球市场对SiC产品日益成长的需求，保持全球领先的位置。我们的SiC产品系列由多款可靠的产品所组成，并提供强大的基础架构和供应链支持，以满足客户执行和扩充产品开发计划的需求。」

Microchip的SiC MOSFET和SBD在更高频率下提供更高效率的切换操作，并通过各级别的耐用性测试，这对于保障产品的长期可靠性至关重要。电感性切换(UIS)耐用性测试(该项测试旨在衡量崩溃情形下，即电压峰值超过元件的击穿电压(breakdown voltage)，元件的退化和提早失效效能表明，Microchip SiC SBD效能比其他SiC二极管高出20%左右。另外，Microchip的SiC MOSFET在效能方面同样优于同类产品，其具有良好的栅氧化层防护能力和通道完整性，即使在经历10万次重复电感性切换测试 (RUIS)后，其参数仍能维持在正常水准。

Microchip是全球仅有的能同时提供矽和SiC分离元件／模块解决方案的供应商之一。该公司的产品，包括外部充电站、车内充电器、直流-直流转换器和动力系统／动力总成控制解决方案等，特别适合于满足电动汽车系统日益增多的需求。该SiC元件将采用Microchip的客户为导向的产品淘汰机制，Microchip将根据客户需求来决定是否继续生产此类产品。