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ROHM推出超低导通电阻第五代Pch MOSFET

  • 陈毅斌台北

Pch MOSFET传统产品和新产品的导通电阻改善结果
Pch MOSFET传统产品和新产品的导通电阻改善结果

半导体制造商ROHM研发出适用于FA和机器人等工控装置及空调等消费电子产品共计24款Pch MOSFET产品,其中包括支持24V输入电压的耐压-40V和-60V单极型「RQxxxxxAT/RDxxxxxAT/RSxxxxxAT/RFxxxxxAT系列」和双极型「UTxxx5/QHxxx5/SHxxx5系列」。本系列产品是ROHM拥有优异市场实绩的Pch MOSFET产品,采用了第五代新微细制程,具备了业界超低单位面积导通电阻。耐压-40V产品的导通电阻较传统产品降低62%、耐压-60V产品的导通电阻较传统产品降低52%,有助提升应用装置的节能性和小型化。

此外,透过元件结构最佳化并采用有利于改善电场集中问题的新设计,进一步提高了产品品质,同时兼顾可靠性和低导通电阻,有助工控装置长期稳定运作。今后ROHM将持续扩充封装阵容,以支持更广泛的应用。同时还计划推动更多车电级产品的研发。随着人们利用网络云端的工作和生活模式加速进展,需要更加强化适用于数据中心服务器及5G基站的产品系列。ROHM将以本次所推出的第五代Pch MOSFET为基础,持续推动具更高效率的Nch MOSFET研发工作,更进一步减少应用产品设计工时,并提高产品可靠性和效率。

近年来,在工控装置和消费电子装置等市场领域,透过高输入电压的电源电路,来达到高端控制的客户需求的实例越来越多,针对MOSFET产品,除了要求低导通电阻之外,对高耐压的需求也与日俱增。MOSFET产品分为Nch与Pch二种,具高效率的Nch应用较为普遍,但在高侧使用Nch MOSFET时,需要闸极电压高于输入电压,因此会让电路结构变得更复杂。而Pch MOSFET则能够以低于输入电压的闸极电压进行驱动,因此可简化电路结构,并减轻设计负担。在这种背景下,ROHM采用第五代微细制程,成功研发出可支持24V输入、耐压-40V/-60V的低导通电阻Pch MOSFET。

具备业界超低导通电阻

新产品采用ROHM第五代微细制程技术,使闸极沟槽结构较ROHM传统产品更为细致精密,并提高了电流密度,在支持24V输入的耐压-40V/-60V Pch MOSFET领域中,具有极为出色的单位面积低导通电阻。耐压-40V产品的导通电阻较传统产品降低62%,耐压-60V产品的导通电阻较传统产品降低52%,非常有助提升应用装置的节能性与小型化。

采用新设计,品质显着提升

新产品充分运用之前所累积的可靠性相关技术经验和Know-how,将元件结构最佳化,同时采用新设计,改善了最容易产生电场集中问题的闸极沟槽电场分布,大幅提升产品品质。在不牺牲导通电阻的前提下,又成功提高了原本难以兼具的可靠性,进而改善了在高温偏压状态下的元件特性劣化问题,有助工控装置长期稳定运作。

产品系列丰富,有助减少设计工时并提高可靠性

本次推出的新产品包括耐压-40V和-60V在内共24款产品,适用于FA装置、机器人以及空调装置等应用。未来将继续扩充封装阵容,来支持工控领域之外的广泛应用,同时也计划开始研发车电级产品。此外采用全新结构的新时代制程不仅可应用在Pch MOSFET产品上,还可应用在Nch MOSFET产品上,并扩大其产品线,减少更多应用产品的设计工时,并进一步提高品可靠性。