氮化镓功率、RF应用潜力高 台MOSFET厂、三五族分头抢进
- 何致中/台北
第三代半导体材料氮化镓(GaN)、碳化矽(SiC)的爆发潜力备受各界重视,其中,SiC因其耐高温等特性,一般预期应用于新能源车电子电力元件为大宗。GaN元件因为分为矽基氮化镓(GaN-on-Si)、碳化矽基氮化镓(GaN-on-SiC)两大类制程,前者可共享矽基半...
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