3D IC可为芯片性能带来重大突破
- 涂翠珊／综合报导
透过矽穿孔(TSV)将存储器堆叠在逻辑上的3D IC设计，可望大幅提升芯片效能，因此正逐渐受到产业重视。然而芯片的散热以及EDA工具的开发，都是发展3D IC首先要设法解决的问题。据Semiconductor Engineering报导，3D IC封装的目的是...
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