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三星半导体采攻击式投资 平泽园区新厂上看3座 因应景气循环模式变迁、大陆崛起 然供给恐过剩

  • 范维君

三星半导体部门开始草拟100兆韩元投资方案,可能于平泽园区兴建新厂。法新社

三星集团(Samsung Group)宣布180兆韩元(约1,600亿美元)3年投资计画,其中100兆韩元(约890亿美元)将用于半导体领域,韩国业界指出,近期三星电子(Samsung Electronics)半导体部门已开始草拟100兆韩元投资方案,可能于平泽半导体园区再建新厂,若以投资金额推估,未来三星平泽园区恐出现第二、三座、甚至第四座半导体厂,恐加深市场供给过剩疑虑。

根据韩媒引述业界消息指出,三星可能不考虑存储器供给过剩与价格下滑担忧,决定采取更积极的攻击式投资,主要在于三星判断半导体景气循环模式已不同于过往,未来仍具有相当高的成长潜力,加上面对大陆半导体产业强势崛起,三星认为必须以最先进及稳定的技术,构筑更高的护城河,让大陆业者难以跨过门槛。

三星预期半导体景气循环模式将与过去不同,随著自驾车、人工智能(AI)等工业4.0革命到来,全球半导体市场需求可望激增,除了目前既有的PC、智能型手机等产品外,包括自驾车、云端运算等新兴产业,以及深度学习、神经网络等AI相关技术加速发展,让资料处理量大增,均将带动半导体市场大幅成长。

此外,面对大陆半导体产业持续崛起,三星决定采取先发制人的攻击式投资策略,借以拉大与竞争对手差距,透过扩大投资战略,维持领先者的优势地位。

韩国业界透露,三星半导体部门已开始对100兆韩元拟定投资方案,如果从金额推估,未来三星可能于平泽半导体园区再建3座半导体厂,三星系于2015年5月决定于占地面积88万坪的平泽半导体园区内兴建平泽一厂,2017年完工后开始量产3D NAND Flash,投资额约35兆韩元(约310亿美元)。

三星平泽园区正式启用后,加上三星器兴园区及华城园区,形成全球最大的半导体生产聚落。韩国业界估计,目前平泽一厂仅使用平泽半导体园区约4分之1的土地,从平泽园区占地面积来看,未来三星于平泽园区再兴建第二、三座、甚至第四座半导体厂都有可能。

尽管无法得知三星半导体部门规划生产的产品类别,但韩国业界推测三星应会对领先的存储器市场先进行攻击式投资,目前三星在全球DRAM与NAND Flash市占皆是第一,市占率分别为46%与36%,若未来三星在平泽园区再兴建3座新厂,届时存储器产业恐陷入供给过剩困境。

三星存储器2017年营收约60兆韩元(约530亿美元),营业利益约33兆韩元(约290亿美元),营业利益率达55%,韩国业界预估,2018年三星存储器部门营运表现可望更为亮眼。不过,尽管三星全力布局AI、自驾车等尖端半导体市场,期望扩大非存储器产品阵容,然现阶段三星半导体事业发展主轴仍可能锁定存储器领域。




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