NAND Flash从2D微影技术 转向以蚀刻与沉积3D制程
- 刘慧兰／综合报导
NAND Flash已从微影驱动的2D技术转向以蚀刻和沉积制程为主的3D技术，间距值也比2D宽松，然而光罩数目会因字串堆叠(string stacking)而增加。DRAM微缩则受到电容器和基础物理的限制，速度正在减缓，且主要集中在核心与周边电路的改善，新的...
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