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EV GROUP全新无光罩曝光技术引爆微影制程革命

  • 台北讯

EVG全新MLE技术提供卓越的弹性、扩充性及拥有成本优势,超越既有的微影量产方式。

SEMICON TAIWAN 2019汇集最多全球顶尖半导体科技厂商,是一年一度台湾半导体产业的年度盛事。2019年,微机电系统(MEMS)、纳米科技与半导体市场晶圆接合暨微影技术设备之厂商EV Group(EVG)于2019半导体展发表革命性的次世代微影MLE(Maskless Exposure)技术,能满足先进封装、微机电系统、生物医学及高密度印刷电路板等应用在未来后段微影制程的各种需求。

MLE是全球首创为量产无光罩微影技术,除了结合高分辨率的图案成形(patterning)、高产量与高良率等特色外,还可消除光罩各项高昂成本。

MLE无光罩微影技术

MLE技术采用紧密集成式写入头,及多重波长高功率紫外线光源,不仅能容纳各种大小晶圆及大尺寸面板,还能支持所有市售的光阻剂。且MLE不论使用何种光阻剂都能维持相同的电路图案成形效能。

EVG技术执行总监Paul Lindner表示,「我们全新的MLE技术在各种后段制程微影应用将能发挥所长,且相对其它需在效能与成本之间妥协的步进机(Stepper)等图案成形技术不同,客户再也不用为了满足后段图案成形的需求,在分辨率、速度、弹性与拥有成本之间做出取舍。」

「透过与许多试用客户共同进行的初期研发成果,已证实MLE技术的应用范围相当广泛且数量正持续增加。在此独特曝光技术从研发阶段迈入成为首款产品之际,我们期盼能与业界更多的公司合作,以支持更广泛能受益于MLE技术的新元件与应用。」

高产量低拥有成本

异质集成逐渐成为半导体研发与创新的驱动力,影响范围遍及先进封装、微机电系统及PCB市场,使后段制程微影的需求也持续升高。EVG的MLE技术造就高分辨率(低于2微米L/S)的无接缝(stitch-free)无光罩曝光机制,以达到高产量与低拥有成本。

能根据使用者的需求选择曝光头,可迅速从研发转移到量产、最佳化制程产出量、适应不同的基板尺寸与材料,也适合用于处理从小型芯片、复合半导体晶圆甚至是面板尺寸的各种基板。欲了解更多EVG的MLE技术,欢迎至南港展览馆4F(Booth No. L0316)参观。