闳康全方位检测 助半导体厂推进新产品与新制程
- 郑斐文/台北
展望今后数年,环顾全球半导体产业,众所周知有几大亮点,首先是大陆半导体产业的蓬勃兴盛,不论晶圆厂或IC设计公司,新厂兴建的速度相当快;其次是新产品与新制程的大量涌现,产品面部分有车用电子、手机应用及人工智能等火热题材,制程面部分不仅含括从16纳米、10纳米、5纳米到3纳米等快速的进化路径,也带动许多新材料、新结构的应运而生,譬如FinFET和纳米碳管即是典型例子。
毫无疑问,前述无论在产业面、产品面或制程面的发展趋势,皆可望为检测分析技术服务产业,挹注强劲的商机动能。闳康科技总经理谢咏芬表示,以新产品开发为例,从无到有的过程,一定得历经研发、ES(工程样品)、CS(客户样品)、试产及量产等不同阶段,其中ES阶段需验证产品的基本功能,CS阶段更需确认实用性与耐用度,皆须使用RA(可靠度分析)、FA(失效分析)与MA(材料分析)等服务,特别是因应新型材料与结构的转变,更使MA需求呈现大幅攀升之势。
综合各种因素,谢咏芬归纳,未来牵动半导体检测分析产业发展的主轴,将环绕在5个关键题材,包含3D结构(例如FinFET晶体管、CoWoS封装技术)、混成材料的整合应用(例如HKMG、SOI、生物元件等等)、整合性分析技术、全方位的故障分析,及经由车用电子所触发的大量可靠度验证需求。
影响所及,近年来许多检测分析业者纷纷加强材料分析布局,不约而同主攻穿透式电子显微镜(TEM)。然而谢咏芬认为,完整的MA需求,必须同时涵盖影像分辨率和元素侦测极限等两大构面,有的分析项目,高度倚重影像解析、对元素解析要求则低,便适合采用TEM,主要偏向材料尺度的观察。
但其余项目未必如此,需要倚靠二次离子质谱仪(SIMS)、傅立叶红外线光谱分析仪(FTIR)、欧杰电子能谱仪(Auger)、X-射线萤光分析仪(XRF)等其他各式分析技术的支撑;着眼于此,闳康同时针对影像、元素等两大解析轴向进行完整布局,非仅侧重单一技术的发展。
布建完整工具 全面解析电性失效
以前述SIMS而论,专家甚至认为它已超越MA层次,应归类在SA(表面分析),如果以金字塔结构来定位不同检测技术,SA正是落在最顶端位置,因为它不论在设备投资、人力训练等方面的养成门槛都非常高,人员训练至少历时两年,平均一台检测仪器要价300万欧元,因此亚洲地区鲜少有独立实验室提供SIMS服务,然而半导体业者在开始建置产线时,基于离子布植调机或元件参数调整等需求,皆会对SIMS验证需求若渴;在此情况下,拥有全亚洲罕见SIMS实验室、并从2005年深耕该项服务的闳康,即可巧妙填补这道需求缺口。
凭藉材料分析、表面分析,都未必能满足所有检测需求,因为毕竟它们也仅能解析材料的尺度与浓度,倘若再补上「电性分析」精准点出故障位置,整个拼图就会更加完整。
只不过,具有确认失效位置功效的电性分析工具,种类其实不少,常见的项目有光子显微镜(EMMI)、雷射热阻侦测仪(OBIRCH),及红外线热传感仪(Themos),多数检测分析服务业者都以这些工具为主力,顶多再搭配被动式电压影像对比(PVC)、导电原子力显微镜(C-AFM),但这般电性故障分析结构,其实仍有进步空间。
比方说,假使客户想找出接面的缺陷、或观察p-n接面的轮廓并计算扩散长度,凭藉上述任何一项工作,都难以达成目标,即需借重EBIC(Electron Beam Induced Current),另可透过EBAC(Electron Beam Absorbed Current),快速有效找出线路上的开路(Open)或桥接(Short)位置;此外若要在避免破坏样品下量测I-V特性,便需动用非破坏性的纳米探针(Nano-probe)工具,如果要量测电场矢量,就必须倚靠电光探测(Electro-Otic Probing;EOP)工具。
前述举凡EBIC、EBAC、纳米探针及EOP,皆是闳康擅长采用的量测工具,借此定位更多潜在电性故障点,使其FA失效分析的构面更形完整,这些新开发的FA技术都是现在的同业所没有的,也是闳康领先业界的特点之一。
谢咏芬接着说明,检测分析技术能量的建立,应像是医院的思维。每一个求诊的患者,可能都有不同症状,故医院理当设置不同科别、提供不同医疗服务,如此才能全方位照顾到所有病患的需要,所以闳康不仅兼顾RA、FA、MA与SA的全面发展,近年也开始跨足CA(化学分析),意在满足纳米药物、液态纳米材料开发等生医应用需求,如此才有完整的能力协助客户解决各式各样难题。
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