意法半导体MasterGaN系列新增优化的非对称拓扑产品

意法半导体MasterGaN系列新增优化的非对称拓扑产品。

为延伸MasterGaN平台的创新优势，横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics；ST；纽约证券交易所代码：STM)推出之MasterGaN2是新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品，亦是一个适用于软开关有源钳位元反激拓扑的GaN整合化解决方案。

两个650V常关型GaN晶体管的导通电阻(RDS(on))分别为150mΩ和225mΩ，每个晶体管皆整合一个优化的闸极驱​​动器，让GaN晶体管如普通矽元件一般便捷易用。其整合了先进驱动功能和GaN既有的效能优势，MasterGaN2可进一步提升有源钳位反激式转换器等拓扑电路之高效能、小体积和轻量化优势。

MasterGaN功率系统级封装(SiP)系列在同一封装中整合两个GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transis；HEMT)和配套的高压闸极驱动器，并内建了所有必备的保护功能。

设计人员可以轻松地将霍尔传感器和DSP、FPGA或微控制器等外部装置与MasterGaN元件连线。输入兼容3.3V-15V逻辑信号，有助于简化电路设计和物料清单，并可使用更小的电路板，简化产品安装。这种整合方案有助于提升转接器和快充充电器的功率密度。

GaN技术正在推动USB PD转接器和智能手机充电器朝快充发展。意法半导体的MasterGaN元件可让这些充电器体积缩小高达80%，同时减轻70%的重量，而充电速度是普通矽基解决方案的三倍。

内建保护功能包括高低边欠压锁定(Under-Voltage Lockout；UVLO)、闸极驱动器互锁、专用关闭脚位和过热保护。9mm x 9mm x 1mm GQFN是为高压应用而优化的封装，高低压焊盘之间之安全距离超过2mm，现已量产。