英飞凌推出62mm CoolSiC模块为碳化矽开辟新应用
- 赖品如/台北
英飞凌科技旗下1200V CoolSiC MOSFET模块系列新添62mm工业标准模块封装产品。62mm封装之产品采用半桥拓扑设计及沟槽式芯片技术,已受到业界的肯定。此封装为碳化矽打开了250kW以上(此为矽基IGBT技术在62mm 封装的功率密度极限)中等功率应用的大门。相较于一般的62mm IGBT模块,碳化矽的应用范围更扩展至太阳能、服务器、储能、电动车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。
该62mm模块配备了英飞凌CoolSiC MOSFET ,可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗和导通损耗可减小散热元件尺寸。在高开关频率下运作时,可使用更小的磁性元件。透过英飞凌CoolSiC芯片技术,客户可以设计出尺寸更小的变频器,从而降低整体系统成本。
新产品采用62mm标准基板和螺丝固定方式,具有高强固性的外壳结构设计,且设计经过最佳化,可达到最高的系统可用性,同时降低维修成本以及停机损失。出色的温度循环能力和150°C的连续工作温度(Tvjop),带来出色的系统可靠性。其对称性的内部设计,能让上下开关达到相同的切换条件。亦可选配「热界面材料」(TIM),以进一步提高模块的热效能。