盛美半导体设备推出18腔单晶圆清洗设备

盛美半导体设备近日发布了Ultra C VI单晶圆清洗设备，这是加入Ultra C清洗系列的最新产品。Ultra C VI旨在对动态随机存取存储器(DRAM)与3D NAND闪存晶圆进行高产能清洗，以实现缩短存储产品的生产周期。这款新产品以盛美成熟的多腔体技术为基础，进一步扩展了清洗设备产品线。Ultra C VI系统配备了18个单片清洗腔体，对比盛美现有的12腔设备Ultra C V系统，其腔体数及产能增加了50%，而其设备宽度不变只是设备长度有少量增加。

盛美董事长王晖博士表示，储存产品的复杂度不断提高，但仍然对产量有严格的要求。当清洗制程的时间逐渐加长或开始采用更复杂的干燥技术时，增加清洗腔体有效解决产能问题，使先进存储装置制造商保持甚至缩短产品的生产周期。18腔清洗设备将是解决这类问题的利器。Ultra C VI平衡了腔体数量配置，在实现高产能(wafer-per-hour)的同时，兼顾了与工厂自动化能力的匹配，同时也避免因腔体数量过多而面临的设备宕机压力。

Ultra C VI可进行低至1y节点及以下节点的先进DRAM产品和128层及以上层数的先进3D NAND产品的单晶圆清洗。该设备可根据应用及涉及的化学方法运用于各种前道和后道制程，如聚合物去除、中段钨或后段铜制程的清洗、沈积前清洗、蚀刻后和化学机械研磨后清洗、深沟道清洗和RCA标准清洗。

清洗过程中可使用多种化学组合，包括标准清洗、氢氟酸、臭氧去离子水、稀硫酸双氧水混合液、有机溶剂或其他制程化学品等。最多可对其中两种化学品进行回收，节约成本。由于该设备与盛美现有设备的宽度相同，也有助于提高晶圆厂的空间利用率，并降低成本。