华邦电子推出更能弹性使用的Sequential Read

Sequential read拥有高度弹性化。

全球半导体储存解决方案领导厂商华邦电子宣布在QspiNAND Flash系列产品中推出更具弹性的全新高速读取功能Sequential Read，持续坚守其在快闪存储器领域中不断追求创新的理念。

越来越多汽车及IoT装置制造商采用SLC NAND Flash做为其取代传统NOR Flash在512Mb或更高容量的低成本替代解决方案。华邦先前已在High Performance Quad SPI-NAND Flash界面上有突破性创新，其Continuous Read在104MHhz时脉频率下，传输速度可达每秒52MB，且与Quad SPI-NOR一样有低脚位数的优点。

华邦于High Performance NAND Flash上再创佳绩，在其最新高效能W25NxxxJW QspiNAND Flash上推出 Sequential Read 新功能。不仅维持QspiNAND Flash 在104MHz下每秒52MB的数据传输速度，且增加了许多在使用上的弹性。

其中，最重要的新增项目包括：可自由应用使用者自有的ECC引擎。在 Continuous Read 中，华邦 W25N系列仅支持本身芯片内建的1位元 ECC引擎。并且在Sequential Read中，使用者可选择使用4位元、8位元或任何位元的ECC错误修正；并能以单一读取指令存取整个存储器阵列，包括主区(Main Area)及备用区(Spare Area)。这适合编码映射(Code shadowing)应用使用，因为低延迟及快速启动时间对这类应用特别重要；并且有更大的弹性可设定数据、纠错码、档案系统信息配置，以配合使用者的应用场景。

华邦电子美国分公司快闪存储器事业群行销部门总监Syed S. Hussain表示，华邦提供高速作业及Continuous Read功能，让QspiNAND Flash成为编码储存(code storage) 应用的绝佳选项。现在加入Sequential Read后，使用者不但仍享有同样的每秒52MB高速读取，同时也能实作自己选择的ECC引擎及数据存取配置。

华邦1.8V QspiNAND Flash中的512Mb、1Gb及2Gb；3V QspiNAND Flash的2Gb及4Gb，都有导入最新的Sequential Read功能。再者，所有QspiNAND Flash均于公司位在台湾台中市的12寸晶圆厂制造。为了满足汽车及 IoT 市场需求，华邦也持续扩展产能。

新款 W25N QspiNAND Flash 采用体积精巧的8针脚封装；在华邦开发出高效的QspiNAND Flash界面之前，SLC NAND Flash无法提供这种节省空间的型态。104MHz的时脉速度，可在使用快速读取Quad I/O指令时，达到相当于416MHz(104MHz x 4)速度的Quad I/O效能。华邦 W25N系列NAND Flash的主要特色如下：

1.涵盖不同使用场境的工作温度：-40°C至+85°C作业范围 (工规级)、-40°C~+105°C作业范围 (工规进阶级与车规级)。
2.独特的存储器架构启用：ECC 时的页面读取时间：60μs、页面编程时间：250μs (标准值)、区块抹除时间：2ms (标准值)、快速编程／抹除的效能、支持OTP存储器区域。
3.高效能高可靠性的QspiNAND FlashQSPI实作采用 46nm 制程技术、数据保持 10 年以上、支持最高每秒 52MB 的数据传输率。
4.节省空间的封装WSON8 6x8mm、WSON8 5x6mm、TFBGA24 6x8mm、KGD (良裸晶粒)。

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