盛美半导体设备推出半关键清洗系列设备
- 吴冠仪/台北
盛美半导体设备近日发布了三款用于晶圆正、背面清洗制程的湿法清洗设备系列。这一系列设备包括晶圆背面清洗设备Ultra C b,自动槽式湿法清洗设备Ultra C wb,和刷洗设备Ultra C s,它们将盛美创新的湿法制程技术扩展到了更广泛的应用领域。
盛美半导体设备董事长王晖,国内的客户要求盛美除了提供应用于关键制程步骤中前瞻的主打产品之外,也为他们提供其他的非前瞻设备,称之为 半关键设备。这套设备可以提供高品质的制程,以支持客户生产链中要求较低但仍然相当重要的步骤。Ultra C系列产品满足了这一要求,扩展了产品链实现一站式服务,同时也为客户提供了更有竞争力的产品。
这三款Ultra C系列新产品的目标市场是先进整合电路领域,功率器件领域和晶圆级封装领域。晶圆背面清洗Ultra C b与槽式湿法清洗Ultra C wb设备现已在国内先进半导体厂的量产中证明了它们的优势。首台刷洗设备Ultra C s也已在2020年第1季度交付国内客户,在验收合格后即可确认营收。
Ultra C b是一款高性价比的晶圆背面清洗设备,具有良好的颗粒管控能力和蚀刻均匀性控制能力,该设备三大关键应用分别为晶圆背面清洗制程,如金属去除或RCA清洗;晶圆背面湿法矽蚀刻制程,如晶圆背面湿法减薄或湿法矽通孔露出;以及晶圆回收制程中的多晶矽层、氧化层和氮化层等膜层剥离去除。该设备可处理高翘曲度晶圆,适用于处理200毫米或300毫米超薄晶圆和键合晶圆。
进行晶圆背面清洗时,使用传统的夹具有可能对晶圆正面会带来损伤,该设备的晶圆夹具与传统的夹持方式不同,它利用了伯努利效应,使晶圆悬浮于晶圆夹具上,而晶圆正面与夹具间无物理接触。当清洗化学药液喷淋到晶圆背面进行制程的时候,晶圆带器件的壹面就会由夹具喷出的氮气(N2)对其进行保护。
该伯努利晶圆夹具采用了盛美的专利技术,可通过控制晶圆和晶圆夹具之间空隙的间距,来控制蚀刻后晶圆边缘的侧向蚀刻宽度,同时满足蚀刻后晶圆边缘无夹具痕迹的要求。该设备可根据需要配置实现高产能,以匹配短制程时间的应用,产能可达300片以上。也可选配先进的无接触型机械手臂以实现超薄晶圆的传输。
Ultra C系列的半关键湿法制程设备现已可单独或组合出售。