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台科大

东芝推出80V N沟道功率MOSFET

  • 吴冠仪/台北

东芝推出80V N沟道功率MOSFET采用最新一代制程,可提高电源效率。

东芝电子元件及储存装置株式会社(东芝)推出80V N沟道功率MOSFET为采用最新一代制程的「U-MOS X-H系列」。 产品适用于资料中心和通讯基地台中所用的工业设备的开关电源。新产品为两款封装,一款为采用表面黏著SOP Advance封装的TPH2R408QM以及TSON Advance封装的TPN19008QM。

由于采用了最新一代制程技术,比当前制程U-MOS VIII-H系列中的80V产品相比,新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。透过最佳化元件结构,漏源导通电阻与闸极电荷特性之间的平衡也得到了改善。