英飞凌推出低频应用600 V CoolMOS S7系列产品

英飞凌推出600 V CoolMOS S7超接面MOSFET适合低频应用 。

英飞凌科技成功开发出满足最高效率和品质要求的解决方案，针对MOSFET低频应用，新推出600 V CoolMOS S7系列产品，带来领先的功率密度和能源效率。CoolMOS S7系列产品的主要特点包括导通效能优化、热阻改善以及高脉冲电流能力，并且具备最高品质标准。该元件适合的应用包括有源桥式整流器、逆变级、PLC、功率固态继电器和固态断路器等。此外，10 mΩ CoolMOS S7 MOSFET是业界RDS(on)最小的元件。

该产品系列专为低频开关应用而开发，旨在降低它们的导通损耗，确保最快速的回应和最高的效率。CoolMOS S7 装置实现了比 CoolMOS 7产品更低的RDS(on) x A，因而能够成功地抵销开关损耗，实现更低的导通电阻和成本。对于高压开关而言，CoolMOS S7 产品拥有市面上最低的导通电阻(RDS(on))。

此外，10 mΩ芯片采用创新的顶面冷却QDPAK封装，22 mΩ芯片采用先进的小型TO无引脚(TOLL)SMD封装。这些MOSFET可助力实现经济、简化、精巧、模块化和高效的设计。设计出来的系统可以轻松满足规范要求和能效认证标准(如适用于SMPS的Titanium标准)，也能满足功率预算，减少零件数量和散热垫需求，同时降低整体拥有成本(TCO)。