Western Digital推出BiCS5 3D NAND技术
- 台北讯
Western Digital宣布成功开发出第五代3D NAND技术BiCS5,持续提供业界最先进的快闪存储器技术,BiCS5采用三层单元(TLC)与四层单元(QLC)两种架构,能以极具吸引力的成本提供卓越容量、效能与稳定性,能满足因联网汽车、移动设备与人工智能而急速成长的数据量需求。
已开始生产512Gb的BiCS5 TLC,预计在2020年下半就能开始商业化量产,供应采用新技术的消费性产品。未来,BiCS5 TLC与BiCS5 QLC将提供包括1.33Tb等多样的储存容量选择。
Western Digital存储器技术与制造部门资深副总裁Steve Paak博士表示,随着下一个十年的到来,如何增加3D NAND容量以满足庞大且快速成长的数据量需求是重要关键。藉由成功开发BiCS5,Western Digital展现了领先的快闪存储器技术,及强大的计划执行力。利用先进的多层储存通孔(multi-tier memory hole)技术来增加横向储存密度,同时透过增加储存层让3D NAND技术的容量与效能显着提升,以满足客户对稳定性与低成本的期望。
采用多种新技术与创新制造制程的BiCS5是Western Digital目前密度最高、最先进的3D NAND技术。第二代多层储存通孔技术、优化的工程设计流程及其他先进的3D NAND储存单元技术大幅提升晶圆的横向储存单元阵列密度。此外,BiCS5拥有112层垂直堆叠的储存容量,使每晶圆的储存容量比96层的BiCS4高出40%,可达到最佳成本。新架构设计也为BiCS5挹注更高效能,使其I/O效能较BiCS4提高50%。
BiCS5是由Western Digital与技术制造合作夥伴Kioxia共同开发,将于日本三重县四日市及岩手县北上市的合资晶圆厂制造。