华邦宣布推出新型高速OctalNAND Flash

OctalNAND Flash可望于1Gb以上储存容量级别，成为Octal NOR Flash高速、低成本替代方案。

全球半导体储存解决方案领导厂商华邦电子宣布推出新型高速OctalNAND Flash产品，可望使高容量Serial NAND Flash成为当前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案。全新W35N-JW NAND产品展现华邦OctalNAND Flash产品线威力，提供车用与工业应用领域稳健可靠的储存存储器产品。

业界首款采用x8 Octal界面的NAND Flash—华邦OctalNAND Flash产品可望提供车用电子与工业制造商高容量的储存存储器产品，无须屈就成本，砸大钱购买NOR Flash。众所周知，NOR Flash在512Mb以上的储存容量成本扩充效益不佳。

华邦电子首款采用1Gb W35N01JW全新界面的产品，连续读取速度最高可达每秒240MB，相较华邦先前发表的高效能W25N-JW QspiNAND Flash系列产品，速度高出3倍。想当然尔，相较市面上一般的Quad Serial NAND Flash产品，读取速度更是快了将近10倍。

W35N-JW OctalNAND Flash采用华邦通过验证的46nm SLC NAND制程，提供卓越的数据完整性，且数据保存期更可达10年以上。此产品写入／抹除次数(Program/Erase Cycle)可达10万次以上，可符合关键任务型车用与工业应用所需的高耐用性与高可靠性。

突破快速执行启动程序之瓶颈

一般而言，由于NOR Flash技术可靠性高且读写速度快，可支持快速启动，因而华邦客户大多以此技术作为存储器存储方案。然而，以目前业界的晶圆制程技术，在存储器容量达512Mb的情况下，NOR Flash芯片大小已经到达了业界标准封装的极限，超过512Mb之后，扩充效益低落，大幅推升晶粒尺寸与封装成本。在车用绘图显示器、先进驾驶辅助系统(ADAS)等应用上，启动程序所需存储器通常大于512Mb，为了使车用与工业OEM厂商得以在采用业界标准封装且合乎成本效益的储存方案，华邦着手研发OctalNAND Flash。

有监于NAND Flash技术可扩充性佳，在储存容量达到1Gb以上时，就更具备成本吸引力。然而，传统NAND Flash在将启动程序映射至DRAM等功能上，显得过于缓慢。华邦电子经理黄信伟表示，新型OctalNAND Flash是将不可能化为可能。他指出，华邦车用与工业市场的客户，现在只需支付Octal NOR Flash一部分的费用，便能在1Gb至4Gb容量装置上获得每秒240MB读写效能。

华邦新型OctalNAND Flash可部分兼容于Octal NOR Flash，可望简化在现有设计中更换NOR Flash装置的过程。W35N-JW装置的工业标准级8mm x 6mm BGA封装，接脚兼容于Serial NOR Flash产品，且针脚完全兼容于现今市面的Xccela Flash以及OctaFlash NOR产品。华邦引领车用客户于最新设计中，以1Gb W35N01JW OctalNAND Flash取代Octal NOR Flash存储器产品，来取得更大的容量与更低的物料清单成本。

W35N-JW的设计包含重置脚位(Reset Pin)，以期让客户实现符合车辆安全需求的硬件功能。重置脚位功能兼容于NOR Flash装置的接脚排列 (pin-out)，使客户得以保留现有用于重启系统的软件。

非比寻常的效能特色

W35N-JW系列产品在SDR模式下，工作频率最高可达166 MHz；而在DDR模式下，最高则可达到120MHz。此系列产品工作电压为1.7V至1.95V，数据完整性则是由内建1位元纠错码(ECC)维护；而利用ECC和内建的LUT(Look-Up-Table)也有助最佳化芯片的坏块管理(Bad Block Management)。欲知更多华邦OctalNAND Flash产品与W35N-JW系列产品细节，请浏览华邦官方网站。