盛美半导体设备发布先进晶圆清洗设备

盛美半导体设备，宣布其槽式与单片晶圆清洗整合设备Ultra C Tahoe可应用于微影胶去除，蚀刻后清洗，离子注入后清洗，CMP后清洗等制程，提升了清洗制程效果，缩减化学药液成本，并显着降低硫酸废液排放量。

由于政府部门对半导体产业的废液排放加强了监管和限制，以及全球对环境问题的日益关注，因此迫切需要一款既能降低化学药液用量，又不牺牲清洗制程效果的清洗设备。尤其需要重视的是，目前半导体产业内对排放的废硫酸的处理方法欠佳，仍有部分地区(如美国)使用填埋式处理，这很有可能会具有污染环境的风险。在部分土地资源受限的地区，高温纯化处理方法是另一种选择，然而，高温纯化处理也将面临着能源耗费以及温室气体排放等一系列问题。

盛美半导体设备CEO王晖表示，硫酸废液处理是先进IC制造中的主要挑战。例如在台湾，半导体工厂使用了该地区硫酸总使用量的一半以上，仅凭槽式清洗，无法满足28nm及以下制程节点的效能要求，虽然转而使用单片清洗提高了清洗制程效果，但却大大提高了硫酸消耗量，并且目前对硫酸废液的处理也引发了一系列安全问题，能耗问题，以及环境问题。

盛美半导体设备开发了具有自主知识产权的Tahoe设备，其优秀的清洗效果与灵活的制程适用性可与客户期望从单片晶圆清洗设备获得的效果相媲美，与此同时，消耗的硫酸量却仅为单片晶圆清洗设备的一小部分。它一举两得，既可使半导体产业技术路线得以继续向下延伸，又兼顾了环保问题，并节省了在废液排放上的巨大开支。

Ultra C Tahoe清洗设备在单个湿法清洗设备中整合了两个模块。在槽式模块中，配有硫酸双氧水混合液(SPM)清洗与快速倾卸冲洗(QDR)，SPM制程药液在此独立的槽式模块中循环使用，与单片SPM清洗相比，至少可减少80%的硫酸废液排放。在Tahoe设备中的槽式清洗之后，晶圆将在湿润状态下，被传至单片模块，进行进一步的先进清洗制程。

单片清洗腔体可按客户需求进行灵活配置，如配备标准清洗液(SC1)、氢氟酸(HF)、臭氧水(DI-O3)，以及其他各种工艺药液。单片清洗腔体最多可配置4支摆臂，每支摆臂最多可提供3种工艺药液。还可选配氮气雾化水清洗摆臂或盛美半导体设备独有的智能万亿声波摆臂进行万亿声波清洗。该系统还可为图形化晶圆提供所需的IPA乾燥功能。

Ultra C Tahoe清洗设备现已可全球商用，包括在台湾湾地区，韩国及美国等地。