宜特参与制定iNEMI爬行腐蚀白皮书
- 吴冠仪/台北
近年来由于人工智能 (AI)、大数据、5G、物联网 (IOT) 与边缘运算的广泛应用,让云端数据处理中心硬件设备的可靠度能力越来越受到重视。然而在全球日趋严重的空气污染威胁下,亦影响云端数据处理中心电子设备的使用寿命。
为此,宜特参与制定国际电子生产商联盟(International Electronics Manufacturing Initiative;iNEMI)爬行腐蚀白皮书,与国际大厂包括消费型电脑、工业型品牌大厂、服务器厂商,共研究开发出简易验证手法iNEMI硫磺蒸气(Flower of Sulfur;FoS)腐蚀试验(图一),协助相关厂商节省将近一半以上之验证时间与经费。
宜特表示,电子产品易受到环境中的腐蚀性气体、水分、污染物、和悬浮微粒的影响,让敏感性电子元件与印刷电路板产生爬行腐蚀(Creep Corrosion)的失效现象(参见图二),严重恐导致设备电气短路故障的风险。因此,在产品出厂前,验证未来产品是否有抵抗爬行腐蚀的能力极为重要。
宜特说明,验证产品腐蚀的传统方式有两种,一为混合流动气体腐蚀试验;二为FoS试验。
MFG试验,其可控制试验参数,包括温度、湿度、腐蚀性气体的种类、浓度与流速等等,并可以不断地置换反应器内部的腐蚀性气体。对于实际终端的环境条件,具备较高的模拟能力与试验的应用性,但却也同时造成试验成本昂贵且验证时间较长的问题,并非能所有产业链的客群所接受并采用。
而传统的FoS试验,可控制的试验参数只包含温度与湿度,参数较少、架设简易且为单一硫化物腐蚀性气体进行试验的特性,相对于MFG试验,FoS实验成本低、验证时间短,不过却也同时造成试验应用性较低的问题。也就是说要有效验证「爬行腐蚀」的失效问题,使用传统FoS试验手法,将有验证难度。
宜特为解决此一问题,宜特参与iNEM爬行腐蚀白皮书的制定,共同剖析造成爬行腐蚀的关键因子,研究开发出iNEMI硫磺蒸气(Flower of Sulfur;FoS)爬行腐蚀试验,其特点测试手法简便迅速、且符合经济效应,获得许多国际系统大厂青睐。更进一步说明,由别于传统的FoS试验(ASTM B809 FoS),iNEMI FoS爬行腐蚀试验,主要在藉由「湿度控制」、「气体流速」、「导入氯气」、「试验前样品的预处理」这四项参数的改善来进行爬行腐蚀的有效验证。
宜特可提供各种抗硫化测试的服务,并且结合 ANSI/ISA-S71.04-2013标准在试验过程中评估此加速试验在G2或G3环境腐蚀等级的模拟年限;亦可结合实际终端环境的腐蚀程度并采以定制化的实验设计协助评估产品抗硫化腐蚀的寿命验证服务。