意法650V高频IGBT 利用高速切换技术提升应用性能

意法半导体(ST)新推出之HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代沟槽式场截止(Trench Field Stop；TFS)技术，可提升PFC转换器、电焊机、不断电供应系统(Uninterruptible Power Supply；UPS)、太阳能逆变器等中高速应用设计的效能和效能。该系列还包括符合AEC-Q101 Rev. D标准的车用产品。

新款HB2系列属于STPOWER产品家族，较低的1.55V VCEsat 饱和电压使导通效能更为出色；而更低的闸极电荷使其能够在低闸极电流状态下快速切换，提升动态切换效能；出色的散热功能则有助于最大限度地提升可靠性和功率密度，同时新系列亦是市面上极具竞争力的产品。

HB2系列IGBT针对内部二极管提供三个不同的选择：全额定二极管、半额定二极管或防止意外反向偏压的保护二极管，其为开发者提供更多的设计自由，还可以根据特定应用需求优化动态效果。全新650V元件的首款产品40A STGWA40HP65FB2现已上市，其采用TO-247长线脚封装。更多信息，请造访官网。

附档：意法半导体650V高频IGBT利用最新高速切换技术提升应用性能。