如何强化5纳米晶圆良率 从缺陷分析下手

根据新闻报导，预期2020年三星、台积电将要进入5纳米制程量产，竞争将会十分激烈，一个崭新的晶圆缺陷分析平台，它结合了智能缺陷筛选取样暨缺陷尺寸计量等两大关键技术，能够在5纳米制程中高效率地检出各类超细微的良率损失缺陷，并强化5纳米晶圆良率。

可想而知，发掘5纳米制程失效缺陷的难度远高于12纳米制程，在下一个时代5纳米制程的竞争，在线晶圆缺陷的检验技术需要更进化，晶圆良率改善会通过，缺陷检测、缺陷分析平台选取缺陷、被选取缺陷作电子显微镜照相与调查缺陷成因这几个步骤，其中缺陷分析平台决定了发掘失效缺陷的成效，若能够在缺陷分析平台选取缺陷成功发掘失效缺陷，工程师便能依据失效缺陷样本，去调查缺陷成因，进而提升良率。简言之，失效缺陷直接冲击良率高低。所以，若要赢得5纳米竞争，在线晶圆缺陷的检出技术非得高人一等不可。

半导体厂在先进制程中一直遭遇发掘失效缺陷的大难题，敖翔科技公司的专利发明技术「智能缺陷筛选及取样方法」，可以将在线可疑缺陷准确叠加至对应的IC设计绘图上，并执行临界面积分析(Critical Area Analysis)来区分非致命缺陷与致命缺陷，如检视晶圆制程中敷涂在晶圆后，接续的曝光、显影等步骤。该发明的技术突破在于能够准确区分缺陷并过滤非致命缺陷。凭藉着「精准过滤愈多的非致命缺陷，发掘失效缺陷的数量就愈多」的基本信念，成就了敖翔科技公司独步全球的专利发明技术。

为了迎接日益精微的5纳米及3纳米制程，敖翔科技多年前已完成了缺陷尺寸计量技术的开发与专利布局，搭配原有的智能缺陷筛选技术，共构成ESI OpenShort Platform，该新平台彻底排除了因缺陷尺寸相对不确定度稍大所遗留的误判风险，不但大幅增进了在线工程师补获致命缺陷的能力，也为晶圆良率的推升注入了更大的信心与动能。

无疑地，精准的智能在线缺陷分析平台已是先进半导体制程的必选配备。位于工研院开放实验室的冠亚智财公司，在历经数个月的专利检索暨分析之后郑重地表示：敖翔科技公司拥有的美、中、台专利发明技术「智能缺陷筛选及取样方法(US8312401、CN 1614876、ROC I402928)」，堪称是全球人工智能缺陷分析的鼻祖，且该公司独创的智能在线缺陷分析平台ESI OpenShort Platform，在日益先进的制程中更加凸显其重要性，亦将成为备受业界瞩目的良率制造机。更多详情请洽敖翔科技股份有限公司。